【技术实现步骤摘要】
凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料、制备方法和用途
本专利技术属于光电催化材料领域，具体涉及凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料的制备方法。
技术介绍
利用半导体光催化技术分解水制氢，实现太阳能向清洁能源氢能的直接转化，是解决人类面临的能源和环境危机的终极途径之一。因此，开发和制备新型可见光响应的光催化材料对提高催化效率具有重要的意义。g-C3N4作为一种新型的全有机半导体聚合物，具有类似石墨烯的二维平面结构，其禁带宽度为2.7eV，导带价带分别为-1.2eV（vs.NHE）和1.5eV（vs.NHE），跨过了水的氧化还原窗口，在可见光催化分解水领域拥有广阔的应用前景，并且g-C3N4具有优异的热稳定性和化学稳定性、无毒、耐酸耐碱、易于制备、成本低廉等，满足人们对光催化剂的所有要求。然而传统煅烧方法获得的g-C3N4材料易团聚，比表面积小，量子效率低，太阳光利用率低，严重限制其在光解水制氢中的应用。因此，如何用简单、低耗的方法一步获得g-C3N4薄层材料，并且能有效抑制其二次聚集，是一个具有挑战的话题。由于凹凸棒石（ATP）是一种层链状晶体结...
【技术保护点】
1.凹凸棒石/g‑C3N4/MoS2异质结复合材料，其特征在于，所述的复合材料是以凹凸棒石作为载体，在载体上负载有g‑C3N4薄层，并且在g‑C3N4薄层表面还负载有MoS2纳米片。
【技术特征摘要】
2018.05.21 CN 20181048632681.凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料，其特征在于，所述的复合材料是以凹凸棒石作为载体，在载体上负载有g-C3N4薄层，并且在g-C3N4薄层表面还负载有MoS2纳米片。2.根据权利要求1所述的凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料，其特征在于，g-C3N4薄层与MoS2纳米片之间的连接结构式是：。3.根据权利要求1所述的凹凸棒石/g-C3N4/MoS2异质结复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，ATP/g-C3N4薄层材料制备：在凹凸棒石的表面接枝硅烷偶联剂，再将接枝偶联剂的凹凸棒石、去离子水、三聚氰胺混合后回流反应，将产物干燥、研磨、焙烧后，得到ATP/g-C3N4薄层材料；第2步，MoS2纳米片的制备：将草酸、二水钼酸钠、硫脲混合在去离子水中，水热反应后，将产物洗涤、烘干，得到MoS2纳米片；第3步，MoS2纳米片进行羧基化处理：MoS2纳米片分散于去离子水中，再加入溴乙酸处理，产物经洗涤、烘干后，得到表面富含羧基的O-MoS2纳米片；第4步，MoS2纳米片在A...
【专利技术属性】
技术研发人员：张莉莉，许永帅，高蓉蓉，高晨修，汤超，殷竟洲，李乔琦，赵伟，程志鹏，戴本林，周守勇，赵宜江，
申请(专利权)人：淮阴师范学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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