非易失性存储器中的存储器扇区注销制造技术

本公开涉及非易失性存储器中的存储器扇区注销。非易失性存储器被布置成具有多个扇区。所述多个扇区中的每一个扇区包括多个记录位置。存储器控制器包括用于所述多个扇区中的每一个扇区的擦除计数器、失效扇区标签，和注销扇区标签。如果扇区的记录位置未能编程，那么选择所述扇区中的另一位置来编程。如果所述扇区的预定数量的所选记录位置未能编程，那么设定所述失效扇区标签。如果特定扇区被设定所述失效扇区标签两次且擦除计数大于预定擦除计数，那么对所述失效扇区设定所述注销扇区标签，表明所述扇区被永久注销使用。所述多个扇区中的新扇区成为用于记录编程操作的当前活跃扇区。用于注销扇区的方法在非易失性存储器的操作期间动态地进行。

Memory sector logout in nonvolatile memory

The present disclosure relates to memory sector cancellation in non-volatile memory. Non-volatile memory is arranged with multiple sectors. Each sector of the plurality of sectors includes a plurality of recording locations. The memory controller includes an erasure counter for each sector in the plurality of sectors, an invalid sector label, and a cancellation sector label. If the recording position of the sector is not programmable, then another location in the sector is selected to program. If the selected recording position of the predetermined number of sectors is not programmable, the invalid sector label is set. If the invalid sector label is set twice for a particular sector and the erasure count is greater than the predetermined erasure count, the cancelled sector label is set for the invalid sector, indicating that the sector is permanently cancelled. New sectors in the plurality of sectors become currently active sectors for recording programming operations. The method used to cancel sectors is performed dynamically during the operation of non-volatile memory.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器中的存储器扇区注销
本公开大体上涉及非易失性存储器，且更具体地说，涉及非易失性存储器中的扇区注销。
技术介绍
电可擦除可编程只读存储器(electricallyerasableprogrammablereadonlymemory，EEPROM)仿真(EEE)系统是一种非易失性存储器，其使用非EEPROM型存储器提供字节和/或字组编程和擦除能力。举例来说，易失性随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)可连同快闪存储器一起使用以提供EEE系统。典型的快闪存储器单元使用存储器单元的阈值电压以确定存储的逻辑状态。在快闪存储器变成不可靠之前，快闪存储器单元具有有限数量的编程和擦除操作。大多数编程失败(failure-to-program，FTP)的出现是由于通常被称为中断和编程干扰的机制。存储器阵列的某些区域可能比其它区域更弱，且由此将更快损耗。有时，失效存储器可以被复原，使得它再次起作用。无法被复原的失效存储器部分被注销或不再被使用，且从服务中被移出。如果损耗掉的非易失性存储器区域被注销，那么所述系统的使用寿命可以延长。然而，当编程和擦除循环次数较高时，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其特征在于，包括：配置非易失性存储器阵列以具有多个扇区，所述多个扇区中的每一个扇区具有多个记录位置；为编程操作选择所述非易失性存储器的扇区的记录位置；确定所述扇区的预定数量的所选编程操作记录位置未能编程，其中所选记录位置的所述预定数量少于所述扇区中的记录位置的总数；为所述扇区设定失效扇区标签；确定失效扇区的所述预定数量的所选记录位置两次未能在所述扇区中编程；确定已超过了所述扇区的擦除操作的预定数量；以及注销所述扇区。

【技术特征摘要】
2017.07.12 US 15/647,3531.一种方法，其特征在于，包括：配置非易失性存储器阵列以具有多个扇区，所述多个扇区中的每一个扇区具有多个记录位置；为编程操作选择所述非易失性存储器的扇区的记录位置；确定所述扇区的预定数量的所选编程操作记录位置未能编程，其中所选记录位置的所述预定数量少于所述扇区中的记录位置的总数；为所述扇区设定失效扇区标签；确定失效扇区的所述预定数量的所选记录位置两次未能在所述扇区中编程；确定已超过了所述扇区的擦除操作的预定数量；以及注销所述扇区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应于为所述扇区设定所述失效扇区标签，从所述扇区复制有效的数据到第二扇区；以及标记所述扇区以进行擦除。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：选择用于编程操作的第二扇区；确定所述第二扇区的所述预定数量的所选编程操作记录位置未能在所述第二扇区中编程；确定所述第二扇区的所述失效扇区标签被事先设定；确定已超过了所述第二扇区的擦除操作的预定数量；注销所述第二扇区；为所述注销的第二扇区设定注销扇区标签；以及选择用于编程操作的第三扇区。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括从所述注销的第二扇区复制有效的数据到所述第三扇区。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述非易失性存储器是在电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)仿真系统中。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定数量的所选记录位置被连续选择。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，擦除操作的所述预定数量约等于10,000，而所选记录位置的预定...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆甫臣，邵柏棠，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US