【技术实现步骤摘要】
提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法
本专利技术涉及一种用于减少三维NAND闪存存储器错误率及改善其保持特性的方法，属于闪存存储器可靠性
技术介绍
NAND型和NOR型是闪存存储器的主要类型。NAND闪存可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。随着信息产业的不断发展进步，半导体存储器的市场需求持续增长，NAND闪存存储器的市场需求也呈现出了高速发展的态势。NAND闪存存储器在市场上的需要日益增加的同时，NAND闪存在技术上也在不断发展。NAND闪存存储器根据存储在每个存储单元中的位数分为SLC、MLC、TLC等几种架构，并且仍在不断发展。器件尺寸的缩小，位成本的降低，从而降低了二维NAND闪存存储器的可靠性。高可靠性的NAND闪存存储器对于NAND闪存存储器应用至关重要。在工艺特征尺寸小于32纳米以后，随着浮栅存储器尺寸的不断缩小，多晶硅浮栅和电荷隧穿氧化层的厚度不断地减薄，传统浮栅型存储器的局限性就会越来越突出，二维NAND闪存存储器的问题越来越多，业界开始着眼于三维NAND闪存存储器的发展。图1给出了三维NAND闪存存储器的结构，由...
【技术保护点】
1.一种提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法，其特征是：基于三维架构NAND闪存存储器，在写入数据之前，预先对数据存储区域写入一组特殊数据后进行擦除，之后再执行数据写入操作；所述特殊数据分为两种形式，一种是与待存储数据完全相同的数据，一种是使存储单元相同状态的数据。
【技术特征摘要】
1.一种提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法，其特征是：基于三维架构NAND闪存存储器，在写入数据之前，预先对数据存储区域写入一组特殊数据后进行擦除，之后再执行数据写入操作；所述特殊数据分为两种形式，一种是与待存储数据完全相同的数据，一种是使存储单元相同状态的数据。2.根据权利要求1所述的提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法，其特征是：所述写入一组特殊数据后进行擦除，之后再执行数据写入操作，是把预写入特殊数据、擦除操作以及待存储数据的写入操作合并到一个连续性写入操作时序中，首先是特殊数据写入时序，其次是擦除时序，最后是待存储数据的写入时序。3.根据权利要求2所述的连续性写入操作时序，其特征是：所述特殊数据写入和擦除的数据判定去除，以减少连续性写入操作时序所需时间。4.根据权利要求1所述的提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法，其特征是：所述使存储单元相同...
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