一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法技术

本发明专利技术提供了一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于A尺寸区熔硅单晶的其他尺寸区熔硅单晶。本发明专利技术所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法在不改变区熔炉内部热场结构的条件下，利用掉苞后的剩余多晶棒料为原料，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换到能够拉制的其他尺寸区熔硅单晶的工艺参数，继续拉制其他尺寸区熔硅单晶，避免了下料返工，提高了工时利用率，降低了多晶棒料的损失，提高了多晶棒料的利用率，提高了单晶硅棒的产量。

A Method of Increasing the Utilization Rate of Polycrystalline Bar for Zone Melt Silicon Single Crystal

The invention provides a method for improving the utilization ratio of polycrystalline rods for zone melted silicon single crystals. The residual polycrystalline rods which have fallen out of buds during the growth of zone melted silicon single crystals with A dimension are used as raw materials. Without changing the heat field inside the zone melting furnace, according to the residual polycrystalline rods, the technological parameters of single crystal growth are changed, and the size of the zone is smaller than A dimension zone is continued to be drawn. Other sizes of fused silicon single crystals are zone fused silicon single crystals. The method of improving the utilization ratio of polycrystalline bars for zone melting silicon single crystals by using the residual polycrystalline bars after branching as raw materials without changing the internal thermal field structure of zone melting furnace, and according to the residual polycrystalline bars, switching to the technological parameters of other size zone melting silicon single crystals that can be drawn, continues to draw other size zone melting silicon single crystals, thus avoiding the re-work of blanking. The utilization ratio of working hours is increased, the loss of polycrystalline bar is reduced, the utilization ratio of polycrystalline bar is increased, and the output of single crystal silicon bar is increased.

【技术实现步骤摘要】
一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法
本专利技术属于区熔硅单晶生长工艺领域，尤其是涉及一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法。
技术介绍
区熔法(FZ)生产单晶硅是区别于直拉法(CZ)的一种新型的单晶生长方法，它利用高频感应线圈将高纯的多晶料加热融化，产生的熔区依靠熔硅的表面张力和加热线圈提供的磁托浮力处于悬浮状态，然后利用籽晶熔接多晶棒料经过晶体生长的过程拉制成单晶。区熔法生长的硅单晶纯度高，均匀性好，低微缺陷，优良的电学性能适合制作高压、大电流、大功率的电力电子器件，拥有极大的市场空间。随着先进大规模集成电路和功率半导体器件的不断发展,单晶硅渐向大直径、大重量、低成本方向发展。区熔硅单晶的生长过程主要包括清炉、装炉、抽空、预热、化料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、降温、停炉。在区熔炉生长单晶时，往往由于工艺不稳定以及热场条件的缺陷，导致区熔单晶成晶率的降低，不仅造成多晶棒料的浪费，而且造成生产效率的降低。直拉法生长单晶采用多晶块料，通过原料的多次复投，可以保障多颗次单晶的生长，实现多晶原料的综合利用。直拉法生长单晶也存在成晶不稳定掉苞的情况，采用回熔的方法可以避免多晶原料的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，其特征在于：以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据所述剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于所述A尺寸区熔硅单晶的其他尺寸区熔硅单晶。

【技术特征摘要】
1.一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，其特征在于：以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据所述剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于所述A尺寸区熔硅单晶的其他尺寸区熔硅单晶。2.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，其特征在于：所述A尺寸区熔硅单晶为8英寸区熔硅单晶；所述其他尺寸区熔硅单晶为6英寸区熔硅单晶或5英寸区熔硅单晶或4英寸区熔硅单晶中的一种。3.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，其特征在于：用于拉制所述A尺寸区熔硅单晶的多晶棒料的直径为150～175mm，重量为70～100kg，长度为1500～2100mm。4.根据权利要求3所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，其特征在于：所述剩余多晶棒料的长度为1000～1500mm时，切换拉制6英寸区熔硅单晶的工艺参数，继续拉制6英寸区熔硅单晶。5.根据权利要求3所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，其特征在于：所述剩余多晶棒料的长度为600～1000mm时，切换拉制5英寸区熔硅单晶的工艺参数，继续拉制5英寸区熔硅单晶。6.根据权利要求3所述的提高区熔硅单晶用多晶棒...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝大维，刘凯，边智学，刘琨，王广明，孙晨光，王彦君，孙健，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12