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本发明提供了一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于A尺寸区熔硅单...
该专利属于天津中环领先材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司授权不得商用。

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