还原炉制造技术

本发明专利技术公开了一种还原炉，涉及多晶硅生产技术领域，主要目的是提供一种能够替代现有的硅芯的还原炉，使得硅棒的生产周期减少，降低硅棒的能源消耗和生产成本。本发明专利技术的主要技术方案为：一种还原炉，包括：炉体；支撑部，所述支撑部包括底盘和电极，所述底盘连接于所述炉体，所述电极设置在所述炉体内，并且连接于所述底盘；发热体，所述发热体设置在所述炉体内，并且连接于所述电极，其中，所述发热体至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20‑50％；钼元素：50‑80％。本发明专利技术主要用于生产多晶硅。

Reduction furnace

The invention discloses a reduction furnace, which relates to the technical field of polycrystalline silicon production. The main purpose of the invention is to provide a reduction furnace which can replace the existing silicon core, so as to reduce the production cycle of silicon rods and reduce the energy consumption and production cost of silicon rods. The main technical scheme of the present invention is: a reduction furnace, including a furnace body; a supporting part, comprising a chassis and electrodes, which are connected to the furnace body, and the electrodes are arranged in the furnace body and connected to the chassis; a heating body, which is arranged in the furnace body and connected to the electrode, wherein the heating body is at least composed of a chassis and an electrode. Component composition of lower weight percentage: tungsten element: 20 50%; molybdenum element: 50 80%. The invention is mainly used for producing polycrystalline silicon.

【技术实现步骤摘要】
还原炉
本专利技术涉及多晶硅生产
，尤其涉及一种还原炉。
技术介绍
随着社会的快速发展，光伏领域得到越来越多的人的重视，而单晶硅成为太阳能电池板的主要材料。制作硅的过程中，需要通过还原炉对硅料进行加热，通常情况下，会在还原炉内设置硅芯，通过高压对硅芯进行击穿以及加热，使硅芯作为发热体进行多晶硅生长，多晶硅沉淀在发热的硅芯上，逐渐形成硅棒。但是，由于硅芯在使用时必须先进行高压击穿，使得对还原炉的电极以及其他电气设备的要求较高，并且，硅芯的直径较小，生产周期较长，使硅芯的成本增加，同时，在硅棒生产的前期多晶硅的沉淀速度较慢，使还原炉的生产周期增加，不仅增加了硅棒生产的能源消耗，同时还增加了硅棒的生产成本。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种还原炉，主要目的是提供一种能够替代现有的硅芯的还原炉，使得硅棒的生产周期减少，降低硅棒的能源消耗和生产成本。为达到上述目的，本专利技术主要提供如下技术方案：本专利技术实施例提供了一种还原炉，包括：炉体；支撑部，所述支撑部包括底盘和电极，所述底盘连接于所述炉体，所述电极设置在所述炉体内，并且连接于所述底盘；发热体，所述发热体设置在所述炉体内，并且连接于所述电极，其中，所述发热体至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20-50％；钼元素：50-80％。进一步的，所述钨元素的重量百分比的含量为25-35％，所述钼元素的重量百分比的含量为70-75％。进一步的，所述电极包括第一电极和第二电极；所述发热体包括管体、第一连接端和第二连接端，所述第一连接端和所述第二连接端分别设置在所述管体的两端，所述第一连接端连接于所述第一电极，所述第二连接端连接于所述第二电极。进一步的，所述第一连接端具有第一连接片，所述第一连接片上具有第一连接孔，所述第二连接端具有第二连接片，所述第二连接片上具有第二连接孔，所述第一电极与所述第一连接片之间设置第一螺栓，所述第二电极与所述第二连接片之间设置第二螺栓，用于固定所述管体。进一步的，所述管体的直径为40-60mm。进一步的，所述管体的外壁的厚度为2-3mm。进一步的，所述发热体的形状为U形。进一步的，防氧化涂层，所述防氧化涂层覆盖在所述管体的表面，用于防止氧化。进一步的，所述防氧化涂层的材料为氮化硅涂层。与现有技术相比，本专利技术具有如下技术效果：本专利技术实施例提供的技术方案中，炉体提供生产硅棒的场所，支撑部的作用是连接和支撑发热体，支撑部包括底盘和电极，底盘连接于炉体，电极设置在炉体内，并且连接于底盘；发热体的作用是提供多晶硅附着的场所，发热体设置在炉体内，并且连接于电极，其中，发热体至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20-50％，钼元素：50-80％，相对于现有技术，通过还原炉对硅料进行加热，通常情况下，会在还原炉内设置硅芯，通过高压对硅芯进行击穿以及加热，使硅芯作为发热体进行多晶硅生长，多晶硅沉淀在发热的硅芯上，逐渐形成硅棒。但是，由于硅芯在使用时必须先进行高压击穿，使得对还原炉的电极以及其他电气设备的要求较高，并且，硅芯的直径较小，生产周期较长，使硅芯的成本增加，同时，在硅棒生产的前期多晶硅的沉淀速度较慢，使还原炉的生产周期增加，不仅增加了硅棒生产的能源消耗，同时还增加了硅棒的生产成本，本专利技术实施例中，通过将发热体的材料从硅材料替换成组分为钨和钼的合金，首先，使得在硅棒生产的初期，不需要对发热体进行高压击穿，发热体的升温速度快，可以使发热体在短时间内达到硅棒生长所需要的温度，不仅降低了成产硅棒的能源消耗，还降低了对还原炉的其他电器元件的要求，使得硅棒的生产设备的成本降低；其次，由于钨和钼的合金的直径可以根据需要进行加工，使得生产硅棒的过程直接跳过硅棒前期生长速度慢的过程，从而缩短了硅棒的生产时间，提高了硅棒的生产效率；最后，发热体采用钨和钼的合金，使得发热体能够重复利用，省去了石墨夹头以及硅芯连续生产的费用，不仅节约了生产成本，同时还降低了整个生产系统造成的污染。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种还原炉的结构示意图；图2为图1中A处的放大结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。如图1和图2所示，本专利技术实施例提供了一种还原炉，包括：炉体1；支撑部2，支撑部2包括底盘21和电极22，底盘21连接于炉体1，电极22设置在炉体1内，并且连接于底盘21；发热体3，发热体3设置在炉体1内，并且连接于电极22，其中，发热体3至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20-50％；钼元素：50-80％。本专利技术实施例提供的技术方案中，炉体1提供生产硅棒的场所，支撑部2的作用是连接和支撑发热体3，支撑部2包括底盘21和电极22，底盘21连接于炉体1，电极22设置在炉体1内，并且连接于底盘21；发热体3的作用是提供多晶硅附着的场所，发热体3设置在炉体1内，并且连接于电极22，其中，发热体3至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20-50％，钼元素：50-80％，相对于现有技术，通过还原炉对硅料进行加热，通常情况下，会在还原炉内设置硅芯，通过高压对硅芯进行击穿以及加热，使硅芯作为发热体3进行多晶硅生长，多晶硅沉淀在发热的硅芯上，逐渐形成硅棒。但是，由于硅芯在使用时必须先进行高压击穿，使得对还原炉的电极22以及其他电气设备的要求较高，并且，硅芯的直径较小，生产周期较长，使硅芯的成本增加，同时，在硅棒生产的前期多晶硅的沉淀速度较慢，使还原炉的生产周期增加，不仅增加了硅棒生产的能源消耗，同时还增加了硅棒的生产成本，本专利技术实施例中，通过将发热体3的材料从硅材料替换成组分为钨和钼的合金，首先，使得在硅棒生产的初期，不需要对发热体3进行高压击穿，发热体3的升温速度快，可以使发热体3在短时间内达到硅棒生长所需要的温度，不仅降低了成产硅棒的能源消耗，还降低了对还原炉的其他电器元件的要求，使得硅棒的生产设备的成本降低；其次，由于钨和钼的合金的直径可以根据需要进行加工，使得生产硅棒的过程直接跳过硅棒前期生长速度慢的过程，从而缩短了硅棒的生产时间，提高了硅棒的生产效率；最后，发热体3采用钨和钼的合金，使得发热体3能够重复利用，省去了石墨夹头以及硅芯连续生产的费用，不仅节约了生产成本，同时还降低了整个生产系统造成的污染。上述炉体1的作用是提供生产硅棒的场所，支撑部2的作用是连接和支撑发热体3，支撑部2包括底盘21和电极22，底盘21连接于炉体1，电极22设置在炉体1内，并且连接于底盘21；发热体3的作用是提供多晶硅附着的场所，发热体3设置在炉体1内，并且连接于电极22，其中，发热体3至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20-50％，钼元素：50-80％，改良西门子法是国际上生产多晶硅的主流技术，其核心设备为还原炉，还原炉的工作原理是通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混和气体反应生成多晶硅并沉积在硅芯上，最终产物是沉积在硅芯上的多晶硅，产品最终以多晶硅棒的形式从还原炉中采出，传统的还原炉通常采用硅芯作为发热体3，通过使多晶硅沉积在硅芯上，但是，由于硅芯在使用时必须先进行高压击穿，使得对还原炉的电极22以及其他电气设备的要求较高，并且，硅芯的直径较小，生产周期较长，使硅芯的成本增加，同时，在硅棒生产的前期多晶硅的沉淀速度较慢，使还原炉的生产周期本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种还原炉，其特征在于，包括：炉体；支撑部，所述支撑部包括底盘和电极，所述底盘连接于所述炉体，所述电极设置在所述炉体内，并且连接于所述底盘；发热体，所述发热体设置在所述炉体内，并且连接于所述电极，其中，所述发热体至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20‑50％；钼元素：50‑80％。

【技术特征摘要】
1.一种还原炉，其特征在于，包括：炉体；支撑部，所述支撑部包括底盘和电极，所述底盘连接于所述炉体，所述电极设置在所述炉体内，并且连接于所述底盘；发热体，所述发热体设置在所述炉体内，并且连接于所述电极，其中，所述发热体至少由以下重量百分比的组分组成：钨元素：20-50％；钼元素：50-80％。2.根据权利要求1所述的还原炉，其特征在于，所述钨元素的重量百分比的含量为25-35％，所述钼元素的重量百分比的含量为70-75％。3.根据权利要求1或2所述的还原炉，其特征在于，所述电极包括第一电极和第二电极；所述发热体包括管体、第一连接端和第二连接端，所述第一连接端和所述第二连接端分别设置在所述管体的两端，所述第一连接端连接于所述第一电极，所述第二连接端连接于所述第二电极。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，陈文吉，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆,65