一种多晶硅还原炉电极制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉电极，包括电极本体，电极本体的一端为一个与石墨夹头相配合的锥头，所述电极本体的外表面设置有一层以钴铬钨合金制成的结合层，结合层的厚度为0.01mm～0.1mm，还设有以银为材料制成的导体层和以氧化铝为材料制成的绝缘层，所述导体层至少覆盖锥头所在结合层的外表面，导体层的厚度为0.1mm～0.5mm，绝缘层覆盖导体层下方的结合层的外表面，绝缘层的厚度为0.2mm～1.0mm，这种电极的结合层采用钴铬钨合金制成，可以具有较薄的结合层，且导体层和绝缘层较厚，防止脱落破损，且可分别提高导电率和绝缘效果。

A Polycrystalline Silicon Reduction Furnace Electrode

The utility model discloses a polycrystalline silicon reduction furnace electrode, which comprises an electrode body, one end of which is a cone head matched with a graphite chuck. The outer surface of the electrode body is provided with a bonding layer made of cobalt chromium tungsten alloy, the thickness of the bonding layer is 0.01 mm to 0.1 mm, and a conductor layer made of silver and an insulation made of alumina. The conductor layer at least covers the outer surface of the bonding layer where the cone head is located. The thickness of the conductor layer is 0.1 mm to 0.5 mm, and the insulation layer covers the outer surface of the bonding layer below the conductor layer. The thickness of the insulation layer is 0.2 mm to 1.0 mm. The bonding layer of the electrode is made of Co-Cr-W alloy, which can have a thinner bonding layer, and the conductor layer and the insulation layer are thicker to prevent falling off and breakage. Increase the conductivity and insulation effect respectively.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉电极
本技术涉及多晶硅还原炉制造
，尤其是一种多晶硅还原炉电极。
技术介绍
在公告号为CN206955649U，名称为“多晶硅还原炉电极”的说明书里描述了一种电极，其包括能与石墨座锥孔配合的锥头、电极体，电极体与锥头对接相连的一段为连接段；该连接段与锥头外表面均设置有粗化层，所述连接段与锥头粗化层上分别喷涂有结合层，结合层的厚度为3.0mm～8.0mm，结合层的外表面设置有外涂层，所述外涂层包括第一外涂层及第二外涂层，外涂层的厚度为0.08mm～0.1mm。该电极的结合层采用纯银粉末材料制成或者纯银粉末与陶瓷粉末混合的混合粉末材料制成，需具有较厚的厚度以达到耐腐蚀及耐磨的效果，而外涂层厚度较薄，第一外涂层，即导体层厚度较薄使导电率较低且容易脱落破损；第二外涂层，即绝缘层厚度较薄使绝缘性能较低且容易脱落破损。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种多晶硅还原炉电极，其结合层采用钴铬钨合金制成，可以具有较薄的结合层，且导体层和绝缘层较厚，防止脱落破损，且可分别提高导电率和绝缘效果。为达到上述目的，本技术的技术方案是：一种多晶硅还原炉电极，包括电极本体，电极本体的一端为一个与石墨夹头相配合的锥头，所述电极本体的外表面设置有一层以钴铬钨合金制成的结合层，结合层的厚度为0.01mm～0.1mm，还设有以银为材料制成的导体层和以氧化铝为材料制成的绝缘层，所述导体层至少覆盖锥头所在结合层的外表面，导体层的厚度为0.1mm～0.5mm，绝缘层覆盖导体层下方的结合层的外表面，绝缘层的厚度为0.2mm～1.0mm。作为优选结构，电极本体上设有一个过渡段，过渡段衔接在锥头的下部，过渡段的下部设有第一环形凸台，第一环形凸台的下部衔接有安装在还原炉上的第一安装段，所述导体层覆盖锥头和过渡段所在结合层的外表面，绝缘层覆盖在第一环形凸台所在的结合层外表面。作为改进，锥头、过渡段和第一环形凸台的表面经由喷砂或抛丸处理形成第一粗化层。作为优选结构，电极本体上设有一个第二环形凸台，所述锥头位于第二环形凸台的上方，第二环形凸台的下部衔接有安装在还原炉上的第二安装段，绝缘层覆盖在第二环形凸台所在的结合层的外表面。作为改进，锥头和第二环形凸台的表面经由喷砂或抛丸处理形成第二粗化层。作为改进，电极本体的内部设有水冷空腔。本技术的有益效果是：电极本体的外表面设置有一层以钴铬钨合金制成的结合层，结合层的厚度为0.01mm～0.1mm，还设有以银为材料制成的导体层和以氧化铝为材料制成的绝缘层，所述导体层至少覆盖锥头所在结合层的外表面，导体层的厚度为0.1mm～0.5mm，绝缘层覆盖导体层下方的结合层的外表面，绝缘层的厚度为0.2mm～1.0mm，这种电极的结合层采用钴铬钨合金制成，可以具有较薄的结合层，且导体层和绝缘层较厚，防止脱落破损，且可分别提高导电率和绝缘效果。附图说明图1是实施例一的剖面示意图；图2是实施例二的剖面示意图。具体实施方式下面结合附图和具体的实施方式对本技术作进一步详细说明。实施例一：图1所示，一种多晶硅还原炉电极，包括电极本体1，电极本体1的一端为一个与石墨夹头(图中未示出)相配合的锥头2，其特征在于：所述电极本体1的外表面设置有一层以钴铬钨合金制成的结合层3，结合层3的厚度为0.01mm～0.1mm，还设有以银为材料制成的导体层4和以氧化铝为材料制成的绝缘层5，所述导体层4至少覆盖锥头2所在结合层3的外表面，导体层4的厚度为0.1mm～0.5mm，绝缘层5覆盖导体层4下方的结合层3的外表面，绝缘层5的厚度为0.2mm～1.0mm。结合层3优选用热喷涂形成，导体层4可以采用冷喷或者电镀的工艺形成。电极本体1可以采用纯铜制成。钴铬钨合金是司太立合金的一种，是一种能耐各种类型磨损和腐蚀以及耐高温氧化的硬质合金，可以对电极本体1起到保护作用，防止电极本体1被腐蚀和磨损，也同时防止了由于电极本体1被腐蚀后可能的对多晶硅的污染，使用钴铬钨合金后，结合层3的厚度可以在仅为0.01mm～0.1mm的情况下实现防腐蚀和防磨损的功能。这样的话：首先，在不增加结合层3与绝缘层5总厚度的情况下，由于结合层3较薄，这就可以加大绝缘层5的厚度，达到0.2mm～1.0mm，大大增加了绝缘效果，也避免了因为绝缘层5过薄而在使用过程中出现脱落及破损；其次，在不增加结合层3与导体层4总厚度的情况下，由于结合层3较薄，也可以加大导体层4的厚度，达到0.1mm～0.5mm，提高导电率，也可以避免因为导体层4过薄而在使用过程中出现脱落及破损。在本实施例中，电极本体1上设有一个过渡段6，过渡段6衔接在锥头2的下部，过渡段6的下部设有第一环形凸台7，第一环形凸台7的下部衔接有安装在还原炉上的第一安装段8，所述导体层4覆盖锥头2和过渡段6所在结合层3的外表面，绝缘层5覆盖在第一环形凸台7所在的结合层3外表面。锥头2、过渡段6和第一环形凸台7的表面经由喷砂或抛丸处理形成第一粗化层9，这种粗化处理的目的在于将表面的氧化物杂质去除，同时也可以形成粗糙结构，便于设置结合层3。电极本体1的内部设有水冷空腔13，便于在工作过程中水冷电极体。实施例二：图2所示，本实施例与实施例一的区别在于：电极本体1上设有一个第二环形凸台10，所述锥头2位于第二环形凸台10的上方，第二环形凸台10的下部衔接有安装在还原炉上的第二安装段11，绝缘层5覆盖在第二环形凸台10所在的结合层3的外表面，锥头2和第二环形凸台10的表面经由喷砂或抛丸处理形成第二粗化层12，这种粗化处理的目的在于将表面的氧化物杂质去除，同时也可以形成粗糙结构，便于设置结合层3。以上仅是本技术较佳的实施例，本领域的技术人员按权利要求作等同的改变都落入本案的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅还原炉电极，包括电极本体，电极本体的一端为一个与石墨夹头相配合的锥头，其特征在于：所述电极本体的外表面设置有一层以钴铬钨合金制成的结合层，结合层的厚度为0.01mm～0.1mm，还设有以银为材料制成的导体层和以氧化铝为材料制成的绝缘层，所述导体层至少覆盖锥头所在结合层的外表面，导体层的厚度为0.1mm～0.5mm，绝缘层覆盖导体层下方的结合层的外表面，绝缘层的厚度为0.2mm～1.0mm。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉电极，包括电极本体，电极本体的一端为一个与石墨夹头相配合的锥头，其特征在于：所述电极本体的外表面设置有一层以钴铬钨合金制成的结合层，结合层的厚度为0.01mm～0.1mm，还设有以银为材料制成的导体层和以氧化铝为材料制成的绝缘层，所述导体层至少覆盖锥头所在结合层的外表面，导体层的厚度为0.1mm～0.5mm，绝缘层覆盖导体层下方的结合层的外表面，绝缘层的厚度为0.2mm～1.0mm。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述电极本体上设有一个过渡段，过渡段衔接在锥头的下部，过渡段的下部设有第一环形凸台，第一环形凸台的下部衔接有安装在还原炉上的第一安装段，所述导体层覆盖锥头和过渡段所在...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗文富，
申请(专利权)人：厦门佰事兴新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35