改善柔性基板切割毛刺的方法技术

技术编号:20123861 阅读:28 留言:0更新日期:2019-01-16 13:13
本发明专利技术涉及一种改善柔性基板切割毛刺的方法,用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺,采用抛光方法削减或消除所述毛刺。经过验证发现,在预切割后,柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成大量毛刺,该毛刺可以通过抛光方法处理,来降低毛刺的高度,甚至消除毛刺,使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求,在很大程度上提高柔性基板的良品率,以及后续工序的良率,进而提高了生产效益。

Method of Improving Burr Cutting on Flexible Substrate

The invention relates to a method for improving the cutting burr of flexible base plate, which is used for reducing or eliminating the burr at the cutting edge after pre-cutting of flexible base plate, and adopting polishing method to reduce or eliminate the burr. After verification, it is found that after pre-cutting, a large number of burrs will be formed on one side of the flexible substrate at the cutting edge. The burrs can be treated by polishing method to reduce the height of burrs, even eliminate burrs, so that the flexible substrate can meet the requirements of flat surface in the subsequent process, and to a large extent improve the yield of the flexible substrate, as well as the yield of the subsequent process. It improves the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
改善柔性基板切割毛刺的方法
本专利技术涉及柔性基板的制备工艺
,特别是涉及改善柔性基板切割毛刺的方法。
技术介绍
柔性基板如彩色滤光片基板在制作过程中,为了方便后期的绑定可以在TFT基板(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管基板)上顺利的进行,需要事先在CF基板(ColorFilter,彩色滤光片基板)上进行预切割,暴露出TFT基板上的bonding位(打线位)。在预切割后经过ODF制程(OneDropFilling,液晶滴下制程),随后在切割裂片之后去掉CF基板上多余的部分。但是,因为预切割时,CF基板结构的限制,在经过预切割后会导致在切缝两边形成大量很高的毛刺,影响ODF等制程的顺利进行,使产品良品率下降。
技术实现思路
基于此,有必要针对上述问题,提供一种改善柔性基板切割毛刺的方法,,在不损伤柔性基板情况下,有效改善毛刺,利于后续制程的顺利进行,提高了产品良率。一种改善柔性基板切割毛刺的方法,用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺,采用抛光方法削减或消除毛刺,包括以下步骤:将具有毛刺的柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘,使毛刺与抛光盘的抛光面接触,并随着毛刺高度的削减将所述柔性基板逐渐靠向抛光盘,至该处的毛刺高度削减至要求的高度,或者消除毛刺;然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板,按前述操作继续抛光,直至将所有毛刺削减或消除。上述改善柔性基板切割毛刺的方法,经过验证发现,在预切割后,柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成大量毛刺,该毛刺可以通过抛光方法处理,来降低毛刺的高度,甚至消除毛刺,使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求,在很大程度上提高柔性基板的良品率,以及后续工序的良率,进而提高了生产效益。在其中一个实施例中,抛光盘的直径为50mm~150mm。在其中一个实施例中,,抛光盘的转速为70±1r/min。在其中一个实施例中,每一处毛刺的抛光时间为20±3min。在其中一个实施例中,抛光盘为尼龙抛光轮。在其中一个实施例中,尼龙抛光轮的粒度≥120目。在其中一个实施例中,抛光在湿度为50%~70%,温度为22±3℃的环境下进行。在其中一个实施例中,抛光后采用AP清洗剂和/或水清洗。在其中一个实施例中,抛光后采用AP清洗剂和水的混合溶液清洗,混合溶液中AP清洗剂的含量为3%wt~5%wt。在其中一个实施例中,柔性基板为彩色滤光片基板或阵列基板。附图说明图1为第一个实施例中的柔性基板消除毛刺前的示意图;图2为图1柔性基板削减毛刺后的示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术,下面将对本专利技术进行更全面的描述。但是,本专利技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本专利技术。经过验证发现,在预切割后,柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成大量毛刺,影响后续的工序进行。本专利技术提供了一种改善柔性基板切割毛刺的方法,采用抛光方法处理,可削减毛刺的高度,或消除毛刺,使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求,在很大程度上提高柔性基板的良品率,以及后续工序的良率,进而提高了生产效益。一个实施例中,改善柔性基板切割毛刺的方法包括以下步骤:将具有毛刺的柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘,使毛刺与抛光盘保持接触,较优地,高度最高的毛刺的端面与抛光盘的抛光面相切,并随着毛刺高度的削减,将柔性基板逐渐靠近抛光盘,至该处的毛刺高度削减至要求的高度,或者消除毛刺。然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板,按上述操作继续抛光,直至将所有毛刺削减或消除。一个实施例中,抛光盘的直径为50mm~150mm,抛光盘的直径例如可以为,但不限于50mm、100mm或150mm等,抛光盘的直径小于50mm时,不好操作,可能会影响抛光的准确性;抛光盘的直径大于150mm时,抛光面覆盖较宽,不利于观察毛刺的削减情况,且有可能会损伤柔性基板的其它部位。一个实施例中,抛光盘的转速为70±1r/min,抛光盘的转速例如可以为,但不限于69r/min、69.5r/min、70r/min、70.5r/min或71r/min等,抛光盘的转速小于69r/min时,影响抛光效率;由于毛刺较软,抛光盘的转速大于71r/min时,转速较快,不利于控制抛光的精确度。一个实施例中,每一处毛刺的抛光时间为20±3min,可根据毛刺的高度和削减的速度调节合适的抛光时间。一个实施例中,抛光盘为尼龙抛光轮,尼龙抛光轮切削力强,硬度适中,适合硬度较软的柔性基板的抛光,且不损伤柔性基板。较优地,尼龙抛光轮的粒度≥120目,尼龙抛光轮的粒度例如可以为,但不限于120目、150目、180目、240目、320目、400目或400目以上等,尼龙抛光轮的粒度大,则对应颗粒径小,抛光后纹路较细,以保证柔性基板的平整度,防止柔性基板在被抛光后形成粗纹路,而形成新的品质不良。一个实施例中,抛光在湿度为50%~70%,温度为22±3℃的环境下进行,以防止抛光过程中累积静电,影响抛光效果。抛光后采用AP清洗剂和/或水清洗,即可以采用AP清洗剂,或水,或AP清洗剂和水的混合溶液清洗,除去抛光后留在柔性基板表面的细屑。AP清洗剂如AP760清洗剂。采用AP清洗剂和水的混合溶液清洗时,混合溶液中AP清洗剂的含量为3%wt~5%wt,效果最佳。一个实施例中,柔性基板包括绝缘层,毛刺位于绝缘层的切割口处。绝缘层采用有机高分子材料制成,例如环氧树脂或亚克力树脂等。进一步地,柔性基板可以为CF基板,包括基材、柔性底衬及绝缘层,基材与绝缘层分别贴附于柔性底衬的两侧,预切割为主要切割柔性底衬与绝缘层,形成切割口,切割后绝缘层于切割口处产生毛刺。由于绝缘层为有机高分子材料,根据其材料特性可以采用抛光处理削减或消除毛刺。柔性基板还可以是阵列基板,如TFT阵列基板,阵列基板的绝缘层上的毛刺亦可采用抛光处理的方法削减或消除。以下为具体实施例说明。实施例1本实施例的柔性基板100为CF基板,柔性基板100预切割后,且未改善毛刺前,其结构如图1所示,柔性基板100包括基材40、柔性底衬30及绝缘层20,基材40与绝缘层20分别贴附于柔性底衬30的两侧,绝缘层20采用环氧树脂材料制成。预切割为切割柔性底衬30与绝缘层20,切割处形成切割口,切割后绝缘层于切割口处产生毛刺10。本实施例的抛光盘是直径为50mm的尼龙抛光轮,尼龙抛光轮的粒度为400目。采用抛光方法改善上述柔性基板切割毛刺,包括以下步骤:设置抛光盘的转速为70r/min,控制环境的湿度为50%~55%,温度为22±1℃的环境。将柔性基板100沿毛刺10延伸的方向逐渐靠近抛光盘,使高度最高的毛刺10的端面与抛光盘的抛光面相切,并随着毛刺10高度的削减,柔性基板100逐渐靠近抛光盘,每一处毛刺10的抛光时间为约20min,至该处的毛刺10高度削减至如图2所示的高度。然后沿多个毛刺10排列的方向移动柔性基板100,按上述操作继续抛光,直至将所有毛刺10削减或消除。抛光后采用AP760清本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种改善柔性基板切割毛刺的方法,用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺,其特征在于,采用抛光方法削减或消除所述毛刺,包括以下步骤:将具有毛刺的柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘,使毛刺与抛光盘的抛光面接触,并随着毛刺高度的削减将所述柔性基板逐渐靠向抛光盘,至该处的毛刺高度削减至要求的高度,或者消除毛刺;然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板,按前述操作继续抛光,直至将所有毛刺削减或消除。

【技术特征摘要】
1.一种改善柔性基板切割毛刺的方法,用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺,其特征在于,采用抛光方法削减或消除所述毛刺,包括以下步骤:将具有毛刺的柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘,使毛刺与抛光盘的抛光面接触,并随着毛刺高度的削减将所述柔性基板逐渐靠向抛光盘,至该处的毛刺高度削减至要求的高度,或者消除毛刺;然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板,按前述操作继续抛光,直至将所有毛刺削减或消除。2.根据权利要求1所述的改善柔性基板切割毛刺的方法,其特征在于,所述抛光盘的直径为50mm~150mm。3.根据权利要求1所述的改善柔性基板切割毛刺的方法,其特征在于,所述抛光盘的转速为70±1r/min。4.根据权利要求1所述的改善柔性基板切割毛刺的方法,其特征在于,每一处毛刺的抛...

【专利技术属性】
技术研发人员:柳发霖方翠怡董思娜谭晓彬李林
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1