The invention relates to a manufacturing method of stacked polysilicon gate structure for semiconductor devices, which includes: forming grooves on the surface of wafers; filling silicon oxide into grooves by deposition; etching part of silicon oxide back; forming corner structures at the corner of the top of grooves; depositing nitrogen compounds; dry etching nitrogen compounds, forming nitrogen-containing compounds on the surface of corner structures extending into grooves. Compound sidewall residues; SiO 2 is etched off part of the silicon oxide by using nitrogen compound sidewall residues as mask; the above three steps are repeated in turn until the silicon oxide in the groove is etched to the required bottom SiO thickness; nitrogen compounds in the groove are removed; polycrystalline silicon is filled into the groove; isolated silicon oxide is formed on the polycrystalline silicon; and the above two steps are repeated to form the silicon oxide. Multilayer polycrystalline silicon and isolated silicon oxide. The silicon oxide in the groove is formed by deposition and step etching, which reduces the oxidation time and improves the production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法。
技术介绍
如今的开关电源工作频率已提升至1MHz以上的高频。降低开关器件栅-漏之间的反馈电容(以下简称CGD)是一个主要的研究方向。目前对于耐高压的金属氧化物半导体场效应管(HVMOSFET),可以通过功率沟槽MOS器件实现600伏特以上的耐压(击穿电压)。其中一种实现方式是采用堆叠多晶硅栅(Stacked-POLY)的结构:在深槽内形成多层的多晶硅,各层之间以一定厚度的氧化硅进行隔离,顶层的多晶硅接栅极电压Vg,因此可以在深槽内形成耦合电容,有助于在深槽的深度方向的形成多个峰值接近的电场。一种形成上述堆叠多晶硅栅结构的工艺中,底部氧化层厚度是用较高温度、较长时间的氧化过程生长而成的,若在此基础上需要形成更厚的氧化层,则需要更长时间氧化,由此增加了工艺时间,降低了生产效率。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种生产效率较高的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法。一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法,包括:步骤A,在晶圆表面形成沟槽;步骤B,通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅;步骤C,通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分;步骤D,通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构,所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构;步骤E,在晶圆表面淀积含氮化合物,覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面;步骤F,干法刻蚀所述含氮化合物,将沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除,所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法,包括:步骤A,在晶圆表面形成沟槽;步骤B,通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅;步骤C,通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分;步骤D,通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构,所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构;步骤E,在晶圆表面淀积含氮化合物,覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面;步骤F,干法刻蚀所述含氮化合物,将沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除,所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留;步骤G,以所述含氮化合物侧壁残留为掩膜,通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分;依次重复执行步骤E至步骤G,直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度,每执行一次步骤F所述含氮化合物侧壁残留就进一步向沟槽内延伸,所述沟槽内的氧化硅包括底部氧化硅和侧壁氧化硅,所述侧壁氧化硅的厚度从沟槽顶部至沟槽底部逐渐增厚;步骤H,去除所述沟槽内的含氮化合物;步骤I,向所述沟槽内填入多晶硅;步骤J,在填入的多晶硅上形成隔离氧化硅;依次重复执行步骤I和J,分别形成间隔的第1、第2、…、第n‑1层 ...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法,包括:步骤A,在晶圆表面形成沟槽;步骤B,通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅;步骤C,通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分;步骤D,通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构,所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构;步骤E,在晶圆表面淀积含氮化合物,覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面;步骤F,干法刻蚀所述含氮化合物,将沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除,所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留;步骤G,以所述含氮化合物侧壁残留为掩膜,通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分;依次重复执行步骤E至步骤G,直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度,每执行一次步骤F所述含氮化合物侧壁残留就进一步向沟槽内延伸,所述沟槽内的氧化硅包括底部氧化硅和侧壁氧化硅,所述侧壁氧化硅的厚度从沟槽顶部至沟槽底部逐渐增厚;步骤H,去除所述沟槽内的含氮化合物;步骤I,向所述沟槽内填入多晶硅;步骤J,在填入的多晶硅上形成隔离氧化硅;依次重复执行步骤I和J,分别形成间隔的第1、第2、…、第n-1层多晶硅和第1、第2、…、第n-1层隔离氧化硅,并在第n-1层隔离氧化硅上形成第n层多晶硅,所述第n层多晶硅连接所述半导体器件的栅极电位,2≤n≤10。2.根据权利要求1所述的半导体器件的堆叠多晶硅栅结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:祁树坤,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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