一种热沉装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的热沉装置，包括：流体分配区及核心强化散热区；其中：所述流体分配区包括冷却介质入口、设置于所述冷却介质入口处的限流板及导流片，所述核心强化散热区包括强化传热器，本发明专利技术提供的热沉装置，其散热性能与热源分布相匹配，通过设计流体分配区域相关结构的尺寸，调节流体的分配，保证高热流密度区域流入较多的流体；同时通过强化传热器增加核心强化散热区高热流密度区的局部传热系数或者增大高热流密度区散热面积来降低芯片的温度，改善温度的均匀性，提高芯片的可靠性和使用寿命，可以应用于大功率激光器阵列、计算机CPU、高功率LED灯等的散热。

A heat sink device

The heat sink device provided by the invention comprises a fluid distribution area and a core enhanced heat sink area, in which the fluid distribution area comprises a cooling medium inlet, a flow limiting plate and a guide vane arranged at the cooling medium inlet, and the core enhanced heat sink area comprises an enhanced heat exchanger. The heat sink device provided by the invention matches the heat source distribution in its heat dissipation performance and designs a fluid. Distributing the size of the relevant structure of the region, adjusting the fluid distribution, ensuring that more fluid flows into the high heat flux region; at the same time, increasing the local heat transfer coefficient in the high heat flux region of the core heat transfer enhancement region or increasing the heat dissipation area in the high heat flux region can reduce the temperature of the chip, improve the uniformity of the temperature, and improve the reliability and service life of the chip. It is applied to heat dissipation of high power laser array, computer CPU, high power LED lamp, etc.

【技术实现步骤摘要】
一种热沉装置
本专利技术涉及电子元器件散热
，尤其涉及一种热沉装置。
技术介绍
产热分布不均存在于大多数电子设备中，如半导体激光器阵列，LED灯等。产热分布不均带来芯片温度分布不均，由此引发热形变以及局部高温，这将严重影响电子芯片的性能及使用寿命。针对产热分布不均的电子芯片，提高传热性能的关键在于合理分配冷却介质、提高局部传热系数以及增大局部传热面积。目前关于电子芯片的散热结构的专利很多，如专利CN102163789A公布了一种微通道式水冷热沉装置及其组装方法，这种方法在一定程度上实现了强化传热；专利CN202871775U公布了一种水冷散热器技术，其结构简单，加工方便；专利CN106451062A公开了一种高功率半导体激光器芯片封装传导散热热沉，改善了热传导途径，提高了散热能力；专利CN107293936A公布了一种半导体激光器阵列封装结构，采用两面冷却的方式，提高了散热效率。但这些专利都基于将芯片当作均匀热源体，而部分芯片实际上存在严重的产热不均现象。
技术实现思路
有鉴如此，有必要针对现有技术存在的缺陷，提供一种使得电子芯片的温度分布均匀及热形变小的热沉装置。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：一方面，本专利技术提供的一种热沉装置，包括：流体分配区及核心强化散热区；其中：所述流体分配区包括冷却介质入口、设置于所述冷却介质入口处的限流板及导流片，所述核心强化散热区包括强化传热器；冷却介质经所述冷却介质入口进入所述流体分配区，所述冷却介质经所述限流板及导流片的配合流入所述核心强化散热区，且在所述核心强化散热区中高热流密度热源或者中心热源位置流入的冷却介质较低热流密度热源或者边缘热源位置的冷却介质多，流入所述核心强化散热区的冷却介质在所述强化传热器作用下使得所述冷却介质与高热流密度区的热源表面的传热系数增大。在一些较佳的实施例中，所述强化传热器为射流喷嘴，所述射流喷嘴包括矩形喷嘴、圆形喷嘴或者三角形喷嘴中任意一种。在一些较佳的实施例中，所述强化传热器为扰流器。在一些较佳的实施例中，所述强化传热器上开设有传热肋片。在一些较佳的实施例中，所述传热肋片为矩形肋、圆柱形肋、圆台肋或圆锥肋中任意一种。在一些较佳的实施例中，所述传热肋片的材料为高导热性材料，所述高导热性材料包括紫铜。在一些较佳的实施例中，所述冷却介质为去离子水、水、酒精、纳米流体、HEF7100或液态金属任意一种。另一方面，本专利技术提供的一种热沉装置，包括依次层叠设置的盖板、固定孔、出口流域板、隔板、进口流域板及底板，半导体激光器芯片封装于所述盖板的一端，所述半导体激光器芯片包括多个发光单元，所述发光单元形成高热流密度区及低热流密度区；所述进口流域板的冷却介质入口处设置有限流板及导流片，所述隔板一端设置有强化传热器；冷却介质从所述底板的冷却介质入口流入后，进入进口流域板，所述冷却介质经所述限流板及导流片的配合，冷却介质分配到多个高热流密度区域，且在所述高热流密度区的热源位置流入的冷却介质较低热流密度热源位置的冷却介质多；冷却介质分配完成后，流经所述隔板的强化传热器，冷却介质在所述强化传热器作用下使得所述冷却介质与高热流密度区的热源表面的传热系数增大，散热后的冷却介质流经出口流域板上的流道并从所述隔板上的流道流出，再经所述底板的出口流出。在一些较佳的实施例中，所述强化传热器为射流喷嘴，所述射流喷嘴包括矩形喷嘴、圆形喷嘴或者三角形喷嘴中任意一种。在一些较佳的实施例中，所述射流喷嘴与所述发光单元一一对应。在一些较佳的实施例中，所述出口流域板上开设有散热肋片，所述射流喷嘴与所述散热肋片交替设置，且所述散热肋片对应设置有所述发光单元。本专利技术采用上述技术方案的优点是：本专利技术提供的热沉装置，冷却介质经所述冷却介质入口进入所述流体分配区，所述冷却介质经所述限流板及导流片的配合流入所述核心强化散热区，且在所述核心强化散热区中高热流密度热源或者中心热源位置流入的冷却介质较低热流密度热源或者边缘热源位置的冷却介质多，流入所述核心强化散热区的冷却介质在所述强化传热器作用下使得所述冷却介质与高热流密度区的热源表面的传热系数增大，本专利技术提供的热沉装置，其散热性能与热源分布相匹配，通过设计流体分配区域相关结构的尺寸，调节流体的分配，保证高热流密度区域流入较多的流体；同时通过强化传热器增加核心强化散热区高热流密度区的局部传热系数或者增大高热流密度区散热面积来降低芯片的温度，改善温度的均匀性，提高芯片的可靠性和使用寿命，可以应用于大功率激光器阵列、计算机CPU、高功率LED灯等的散热。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例1提供的热沉装置的结构示意图。图2为本专利技术实施例2提供的热沉装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1请参阅图1，为本专利技术实施例提供的热沉装置10的结构示意图，包括：流体分配区1-8及核心强化散热区1-8，以下详细阐述各个区的结构组成。所述流体分配区1-8包括冷却介质入口1-1、设置于所述冷却介质入口1-1处的限流板1-2及导流片1-3，所述核心强化散热区1-8包括强化传热器1-4。本专利技术实施例1提供的热沉装置10，工作方式如下：冷却介质经所述冷却介质入口进入所述流体分配区1-8，所述冷却介质经所述限流板1-2及导流片1-3的配合流入所述核心强化散热区1-8，且在所述核心强化散热区1-8中高热流密度区1-5热源或者中心热源位置流入的冷却介质较低热流密度热源或者边缘热源位置的冷却介质多，流入所述核心强化散热区1-8的冷却介质在所述强化传热器1-4作用下使得所述冷却介质与高热流密度区的热源表面的传热系数增大，散热后的冷却介质流经出口1-6流出。可以理解，所述限流板1-2的尺寸可以根据高热流密度区1-5的位置及热负荷大小调节；所述导流片1-3的尺寸可以根据高热流密度区1-5的位置及热流密度大小调节，从而使得在高热流密度区1-5流入较多的冷却介质。在一些较佳的实施例中，所述强化传热器1-4为射流喷嘴，所述射流喷嘴包括矩形喷嘴、圆形喷嘴或者三角形喷嘴中任意一种。在一些较佳的实施例中，所述强化传热器1-4为扰流器，从而进一步提高传热性能。在一些较佳的实施例中，所述强化传热器1-4上开设有传热肋片。可以理解，传热肋片可以为导流片或者单独设置于强化传热器1-4上。在一些较佳的实施例中，所述传热肋片为矩形肋、圆柱形肋、圆台肋或圆锥肋中任意一种。在一些较佳的实施例中，所述传热肋片的材料为高导热性材料，所述高导热性材料包括紫铜。在一些较佳的实施例中，所述冷却介质为去离子水、水、酒精、纳米流体、HEF7100或液态金属任意一种。本专利技术上述实施例提供的热沉装置，其散热性能与热源分布相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热沉装置，其特征在于，包括：流体分配区及核心强化散热区；其中：所述流体分配区包括冷却介质入口、设置于所述冷却介质入口处的限流板及导流片，所述核心强化散热区包括强化传热器；冷却介质经所述冷却介质入口进入所述流体分配区，所述冷却介质经所述限流板及导流片的配合流入所述核心强化散热区，且在所述核心强化散热区中高热流密度区热源或者中心热源位置流入的冷却介质较低热流密度热源或者边缘热源位置的冷却介质多，流入所述核心强化散热区的冷却介质在所述强化传热器作用下使得所述冷却介质与高热流密度区的热源表面的传热系数增大。

【技术特征摘要】
1.一种热沉装置，其特征在于，包括：流体分配区及核心强化散热区；其中：所述流体分配区包括冷却介质入口、设置于所述冷却介质入口处的限流板及导流片，所述核心强化散热区包括强化传热器；冷却介质经所述冷却介质入口进入所述流体分配区，所述冷却介质经所述限流板及导流片的配合流入所述核心强化散热区，且在所述核心强化散热区中高热流密度区热源或者中心热源位置流入的冷却介质较低热流密度热源或者边缘热源位置的冷却介质多，流入所述核心强化散热区的冷却介质在所述强化传热器作用下使得所述冷却介质与高热流密度区的热源表面的传热系数增大。2.如权利要求1所述的热沉装置，其特征在于，所述强化传热器为射流喷嘴，所述射流喷嘴包括矩形喷嘴、圆形喷嘴或者三角形喷嘴中任意一种。3.如权利要求1所述的热沉装置，其特征在于，所述强化传热器为扰流器。4.如权利要求1所述的热沉装置，其特征在于，所述强化传热器上开设有传热肋片。5.如权利要求4所述的热沉装置，其特征在于，所述传热肋片为矩形肋、圆柱形肋、圆台肋或圆锥肋中任意一种。6.如权利要求5所述的热沉装置，其特征在于，所述传热肋片的材料为高导热性材料，所述高导热性材料包括紫铜。7.如权利要求1所述的热沉装置，其特征在于，所述冷却介质为去离子水、水、酒精、纳米流体、HEF7100或液态金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈俊，邓增，董学强，龚文驰，陈高飞，李珂，戴巍，公茂琼，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11