集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件制造技术

本发明专利技术涉及集成电路领域，公开了一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；N‑漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；源极(4)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；N+源区(5)，设置在所述源极(4)两侧的所述N‑漂移区(7)中；P型基区(6)，设置在所述N‑漂移区(7)内部；栅源隔离层(3)，设置在所述N+源区(5)上方；栅介质(2)，栅极(10)；所述源极(4)与所述N‑漂移区(7)的界面为肖特基接触。所述器件能够提高器件性能的可靠性，并降低设计的复杂性和成本。

U-type Source Slot VDMOSFET Devices with Integrated Schottky Diodes

The invention relates to the field of integrated circuits, and discloses a U-type source-slot VDMOSFET device integrated with Schottky diodes, which is characterized by: a substrate (8); a drain (9) below the substrate (8); a N drift region (7) above the substrate (8); a source (4) above the N drift region (7); and a N+source region (5) on both sides of the source (4). In the drift region (7), the P-type base region (6) is located inside the N drift region (7); the gate source isolation layer (3) is located above the N + source region (5); the gate medium (2), the gate (10); and the interface between the source electrode (4) and the N drift region (7) is Schottky contact. The device can improve the reliability of device performance and reduce the complexity and cost of design.

【技术实现步骤摘要】
集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件
本专利技术涉及微电子
，具体涉及一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件。
技术介绍
宽带隙半导体材料碳化硅具有较大的禁带宽度，较高的临界击穿电场，以及高热导率、高电子饱和漂移速度等优良物理和化学特性，适合制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件。在功率电子领域中，功率MOSFET已被广泛应用，它具有栅极驱动简单，开关时间短等特点。现有的VDMOSFET结构中，为避免寄生NPN晶体管开启，通常会通过在P型基区表面引入P+欧姆接触区，使P型基区和N+源区短路。同时VDMOSFET在变流器中作为功率开关，当其体二极管作为续流通路持续流过正向电流时，会发生“通电劣化”现象，使导通电阻和二极管的正向导通压降增大，并引起可靠性问题。因此在实际的应用中，通常采用在器件源漏极两端并联一个开启电压小于体二极管的肖特基二极管的方法来提供续流通路并保证体二极管不会导通，这种方法极大地增加了电路设计的复杂性和成本费用。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；以及漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；N‑漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；源极(4)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；N+源区(5)，设置在所述源极(4)两侧的所述N‑漂移区(7)中；P型基区(6)，设置在所述源极(4)两侧的所述N‑漂移区(7)中；栅源隔离层(3)，设置在所述N+源区(5)上方；栅介质(2)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；栅极(10)，设置在所述栅介质(2)上方；所述源极(4)与所述N‑漂移区(7)的界面为肖特基接触。

【技术特征摘要】
1.一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；以及漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；N-漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；源极(4)，设置在所述N-漂移区(7)上方；N+源区(5)，设置在所述源极(4)两侧的所述N-漂移区(7)中；P型基区(6)，设置在所述源极(4)两侧的所述N-漂移区(7)中；栅源隔离层(3)，设置在所述N+源区(5)上方；栅介质(2)，设置在所述N-漂移区(7)上方；栅极(10)，设置在所述栅介质(2)上方；所述源极(4)与所述N-漂移区(7)的界面为肖特基接触。2.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，所述源极(4)与所述N+源区(5)的界面为欧姆接触。3.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，所述源极(4)与所述P型基区(6)的界面为欧姆接触。4.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，所述栅极(10)是多晶硅。5.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽V...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤晓燕，陈辉，张玉明，宋庆文，张艺蒙，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61