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本发明涉及集成电路领域，公开了一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；N‑漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；源极(4)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；N...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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