薄膜晶体管及其制造方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：层叠设置在衬底基板上的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接，且所述有源层与所述源极的接触位置处，及所述有源层与所述漏极的接触位置处均掺杂有金属离子。本发明专利技术减小了有源层与源漏极之间的接触电阻，有效地提高了薄膜晶体管的电学性能。本发明专利技术用于显示图像。

Thin Film Transistor and Its Manufacturing Method and Display Panel

The invention discloses a thin film transistor, a manufacturing method thereof and a display panel, belonging to the display technology field. The thin film transistor comprises an active layer, a first gate insulating layer, a gate, a second gate insulating layer and a source-drain pole stacked on a substrate, and the source-drain pole comprises a source pole and a drain pole; the source pole and the drain pole are respectively connected with the active layer through the first through hole on the second gate insulating layer, and the contact position of the active layer and the source pole, respectively. Metal ions are doped at the contact position of the active layer and the drain. The invention reduces the contact resistance between the active layer and the source and drain poles, and effectively improves the electrical performance of the thin film transistor. The present invention is used for displaying images.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。
技术介绍
显示面板通常包括多个像素单元，每个像素单元中均设置有薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；缩写：TFT)。该薄膜晶体管是控制对应像素单元显示亮度的基本电路元件。该薄膜晶体管可以包括：有源层、栅极绝缘层、栅电极和源漏极等。该源漏极包括源极和漏极，有源层为源极和漏极提供导电通道。相关技术中，该有源层通常由铟镓锌氧化物(英文：indiumgalliumzincoxide；缩写：IGZO)、非晶硅(英文：Amorphoussilicone；缩写：a-Si)或多晶硅(英文：polycrystallinesilicon；缩写：P-Si)等半导体材料制成。但是，相关技术中的有源层与源漏极之间的接触电阻通常较大，导致薄膜晶体管的电学性能较差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，可以解决相关技术中有源层与源漏极之间的接触电阻通常较大，导致薄膜晶体管的电学性能较差的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：层叠设置在衬底基板上的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接，且所述有源层与所述源极的接触位置处，及所述有源层与所述漏极的接触位置处均掺杂有金属离子。可选地，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅极与所述第二栅绝缘层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层由所述金属离子的氧化物制成，且所述第三绝缘层上设置有与所述第一过孔连通的第二过孔，第一正投影与第二正投影围成的整体投影覆盖所述有源层与所述源极以及所述漏极的接触位置在所述衬底基板上的正投影，所述第一正投影为所述第三绝缘层在所述衬底基板上的正投影，所述第二正投影为所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。可选的，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影重合。可选地，所述金属离子包括：铝离子或钛离子。可选地，所述第一栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影；所述第二栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影。第二方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成有源薄膜层、第一栅绝缘层和栅极；对所述有源薄膜层进行离子掺杂，得到有源层，所述有源层用于与源极接触的接触位置处，及所述有源层用于与漏极接触的接触位置处均掺杂有金属离子；在形成有所述栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层上形成有第一过孔；在形成有所述第二栅绝缘层的衬底基板上形成源漏极，所述源漏极包括所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过形成在所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接。可选地，所述对所述有源薄膜层进行离子掺杂，得到有源层，包括：在形成有所述栅极的衬底基板上形成金属薄膜层，所述金属薄膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖接触位置在所述衬底基板上的正投影；通过所述金属薄膜层对所述有源薄膜层进行离子掺杂；对掺杂有离子的有源薄膜层进行退火处理，得到所述有源层；对所述金属薄膜层进行氧化处理；对氧化后的金属薄膜层进行图形化处理，得到第三绝缘层，所述第三绝缘层上形成有与所述第一过孔连通的第二过孔，且第一正投影与第二正投影围成的整体投影覆盖所述有源层与所述源极以及所述漏极的接触位置在所述衬底基板上的正投影，所述第一正投影为所述第三绝缘层在所述衬底基板上的正投影，所述第二正投影为所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。可选地，所述金属离子包括：铝离子或钛离子。可选地，所述第一栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影；所述第二栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影。第三方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括：第一方面任一所述的薄膜晶体管。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，由于有源层与源极的接触位置处，及有源层与漏极的接触位置处均掺杂有金属离子，且金属离子具有较强的导电性，相较于相关技术，减小了有源层与源漏极之间的接触电阻，有效地提高了薄膜晶体管的电学性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制造方法的流程图；图5是本专利技术实施例提供的另一种薄膜晶体管的制造方法的流程图；图6是本专利技术实施例提供的一种在形成有第一栅绝缘层的衬底基板上形成栅极后的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的一种对有源薄膜层进行离子掺杂的方法流程图；图8是本专利技术实施例提供的一种在形成有栅极的衬底基板上形成金属薄膜层后的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的另一种在形成有栅极的衬底基板上形成金属薄膜层后的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的一种对图9所示的有源薄膜层进行离子掺杂后的结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的一种在形成有第三绝缘层的衬底基板上形成第二栅绝缘层后的结构示意图；图12是其示出了本专利技术实施例提供的一种在形成有第二栅绝缘层的衬底基板上形成源漏极后的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，如图1所示，该薄膜晶体管可以包括：层叠设置在衬底基板101上的有源层102、第一栅绝缘层103、栅极104、第二栅绝缘层105和源漏极106。其中，源漏极106可以包括源极1061和漏极1062。第二栅绝缘层105上可以设置有多个第一过孔，该源极1061可以通过设置在第二栅绝缘层105上的至少一个第一过孔与有源层102连接。该漏极1062可以通过设置在第二栅绝缘层105上的至少一个第一过孔与有源层102连接。且用于供源极1061与有源层102连接的第一过孔与用于供漏极1062与有源层102连接的第一过孔不同。例如，如图1所示，该源极1061可以通过设置在第二栅绝缘层105上的一个第一过孔与有源层102连接，该漏极1062可以通过设置在第二栅绝缘层105上的另一个第一过孔与有源层102连接。且有源层102与源极1061的接触位置处，及有源层102与漏极1062的接触位置处均可以掺杂有金属离子(该有源层102中的点状阴影处掺杂有金属离子)。示例地，该金属离子可以为铝离子或钛离子等。该有源层102可以由IGZO、单晶硅或多晶硅制成。综上所述，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，由于有源层与源极的接触位置处，及有源层与漏极的接触位置处均掺杂有金属离子，且金属离子具有较强的导电性，相较于相关技术，减小了有源层与源漏极之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：层叠设置在衬底基板上的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接，且所述有源层与所述源极的接触位置处，及所述有源层与所述漏极的接触位置处均掺杂有金属离子。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：层叠设置在衬底基板上的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接，且所述有源层与所述源极的接触位置处，及所述有源层与所述漏极的接触位置处均掺杂有金属离子。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅极与所述第二栅绝缘层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层由所述金属离子的氧化物制成，且所述第三绝缘层上设置有与所述第一过孔连通的第二过孔，第一正投影与第二正投影围成的整体投影覆盖所述有源层与所述源极以及所述漏极的接触位置在所述衬底基板上的正投影，所述第一正投影为所述第三绝缘层在所述衬底基板上的正投影，所述第二正投影为所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影重合。4.根据权利要求1至3任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属离子包括：铝离子或钛离子。5.根据权利要求1至3任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影；所述第二栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影。6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成有源薄膜层、第一栅绝缘层和栅极；对所述有源薄膜层进行离子掺杂，得到有源层，所述有源层用于与源极接触的接触位置处，及所述有...

【专利技术属性】
技术研发人员：张方振，牛菁，孙双，牛亚男，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11