一种发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极、N型电极和复合层，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底的第一表面上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，透明导电薄膜铺设在P型半导体层上，P型电极设置在透明导电薄膜上，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上；复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，若干金属纳米颗粒间隔设置在衬底的第二表面上，无机材料层铺设在若干纳米银颗粒和若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，复合层的折射率小于或等于1。本发明专利技术工艺简单、制作成本低、制作周期短。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称LED)是一种半导体发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等。白光LED是继白炽灯和日光灯之后的第三代电光源，白光LED的能耗仅为白炽灯的八分之一，荧光灯的二分之一，寿命可长达十万小时，对于普通家庭照明可谓“一劳永逸”。芯片是LED的核心组件。现有的LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极、N型电极和反射层。N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底的第一表面上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽；透明导电薄膜铺设在P型半导体层上，P型电极设置在透明导电薄膜上，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上；反射层铺设在衬底的第二表面上，衬底的第二表面为与衬底的第一表面相反的表面。具体地，衬底用于提供外延生长的表面并起到支撑作用；N型半导体层用于提供进行复合发光的电子，有源层用于进行电子和空穴的复合发光，P型半导体层用于提供进行复合发光的空穴；N型电极和P型电极用于接入电源，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述透明导电薄膜铺设在所述P型半导体层上，所述P型电极设置在所述透明导电薄膜上，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上；其特征在于，所述发光二极管芯片还包括复合层，所述复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，所述若干金属纳米颗粒间隔设置在所述衬底的第二表面上，所述无机材料层铺设在所述若干纳米银颗粒和所述若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述透明导电薄膜铺设在所述P型半导体层上，所述P型电极设置在所述透明导电薄膜上，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上；其特征在于，所述发光二极管芯片还包括复合层，所述复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，所述若干金属纳米颗粒间隔设置在所述衬底的第二表面上，所述无机材料层铺设在所述若干纳米银颗粒和所述若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，所述复合层的折射率小于或等于1，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒，所述无机材料层为二氧化钛层。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述若干银纳米颗粒在所述衬底的第二表面上的覆盖面积小于或等于所述衬底的第二表面的面积的40％。4.根据权利要求2或3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述银纳米颗粒的粒径小于或等于140nm。5.根据权利要求2或3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述银纳米颗粒的高度为10nm～20nm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭炳磊，魏晓骏，葛永晖，吕蒙普，李鹏，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42