【技术实现步骤摘要】
用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构及测试方法
本专利技术涉及半导体测试领域，尤其涉及一种用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构及测试方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路的集成度不断提高，MOS晶体管中栅氧层也日益减薄，但较高的电场强度对栅氧层的性能的影响就成为一个突出的问题。因此栅氧层的击穿，如栅氧层的经时击穿(TDDB，timedependentdielectricbreakdown)一直是超大规模集成电路可靠性研究领域关注的热点问题。所述栅氧层的上界面和下界面会受到许多工艺的影响，从而使得栅氧层的经时击穿性能受到影响，栅氧层的经时击穿性能表现出对极性的依赖。所述栅氧层的经时击穿性能对极性的依赖指的是：在MOS晶体管所处的电性状态的极性为积累和反型两种状态时，栅氧层的经时击穿性能不同。然而，在现有技术中，通常一次测试中仅能测试得到栅氧层的在一种极性状态下的经时击穿性能。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构及测试方法，提高评估栅氧层TDDB性能的可靠性。为解决上述问题，本专利技术提供一种用于评估栅氧层TDDB...
【技术保护点】
1.一种用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构，其特征在于，包括：第一测试晶体管，第一测试晶体管具有第一源级、第一漏极、第一栅极和第一背栅极，第一背栅极分别与第一源级和第一漏极连接；与第一栅极连接的第一量测模块；第二测试晶体管，第二测试晶体管和第一测试晶体管是两个完全相同的晶体管，第二测试晶体管具有第二源级、第二漏极、第二栅极和第二背栅极，第二背栅极分别与第二源级和第二漏极连接，第二背栅极和第一背栅极连接；与第二栅极连接的第二量测模块，第二量测模块和第一量测模块适于给第一测试晶体管和第二测试晶体管进行恒流加压，第二量测模块和第一量测模块恒流加压时，第一测试晶体管和第二测试...
【技术特征摘要】
1.一种用于评估栅氧层TDDB极性差异的测试结构，其特征在于，包括：第一测试晶体管，第一测试晶体管具有第一源级、第一漏极、第一栅极和第一背栅极，第一背栅极分别与第一源级和第一漏极连接；与第一栅极连接的第一量测模块；第二测试晶体管，第二测试晶体管和第一测试晶体管是两个完全相同的晶体管，第二测试晶体管具有第二源级、第二漏极、第二栅极和第二背栅极，第二背栅极分别与第二源级和第二漏极连接，第二背栅极和第一背栅极连接；与第二栅极连接的第二量测模块，第二量测模块和第一量测模块适于给第一测试晶体管和第二测试晶体管进行恒流加压，第二量测模块和第一量测模块恒流加压时，第一测试晶体管和第二测试晶体管所处的电性状态的极性不同；分别与第二背栅极和第一背栅极连接的第三量测模块，第三量测模块适于和第一量测模块一起检测第一测试晶体管中的栅氧层的漏电情况，第三量测模块适于和第二量测模块一起检测第二测试晶体管中的栅氧层的漏电情况。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在第二量测模块和第一量测模块给第一测试晶体管和第二测试晶体管恒流加压时，所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为反型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型。3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为PMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势小于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为NMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势大于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在第二量测模块和第一量测模块给第一测试晶体管和第二测试晶体管恒流加压时，所述第一测试晶体管所处的电性状态的极性为积累型，所述第二测试晶体管所处的电性状态的极性为反型。6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为PMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势大于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。7.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试晶体管和第二测试晶体管均为NMOS晶体管，第一量测模块施加在第一栅极上的电势小于第二量测模块施加在第二栅极上的电势。8.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在第三量测模块和第一量测模块一起检测第一测试晶体管中的栅氧层的漏电情况的过程中，所述第三量测模块还适于对自身输出的功率进行限制；在第三量测模块和第二量测模块一起检测第二测试晶体管中的栅氧层的漏电情况的过程中，所述第三量测模块还适于对自身...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛玮，韩坤，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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