An image sensor and a forming method thereof comprise: providing a semiconductor substrate; forming a MOS device on the semiconductor substrate; forming a barrier layer covering the surface of the MOS device and the semiconductor substrate, the barrier layer comprising a carbon film, and the SP in the carbon film.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其是涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是摄像设备的核心部件，通过将光信号转换成电信号实现图像拍摄功能。以互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOSImageSensors，CIS)器件为例，由于其具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。在现有技术中，在半导体衬底上形成金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)器件后，通常采用氮化硅(SiN或Si3N4)以及二氧化硅(SiO2)作为自对准硅化物阻挡层(Self-AlignSilicideBlockorSalicideblock，SAB)，对半导体衬底以及MOS器件进行保护，以降低后续形成金属互连层时产生的影响，特别是在像素区域，能够通过保护有效地减少白点(WhitePixel)的产生。然而，采用氮化硅容易降低图像传感器的传输速度以及使用寿命。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，可以提高图像传感器的传输速度以及使用寿命。为解决上述技术问题，本专利技术...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成MOS器件；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述MOS器件以及半导体衬底的表面，所述阻挡层包括碳薄膜，所述碳薄膜内SP3键含量高于预设含量阈值；在所述阻挡层表面形成金属互连层。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成MOS器件；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述MOS器件以及半导体衬底的表面，所述阻挡层包括碳薄膜，所述碳薄膜内SP3键含量高于预设含量阈值；在所述阻挡层表面形成金属互连层。2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡层还包括：氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述MOS器件以及半导体衬底，所述碳薄膜覆盖所述氧化硅层。3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述碳薄膜的材料选自：金刚石以及SP3键含量高于预设含量阈值的无定形碳。4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述碳薄膜；其中，所述化学气相沉积工艺的工艺参数包括以下一项或多项：沉积气体包括：烃类气体以及氦气；沉积温度为50℃至700℃；沉积压力小于等于10Torr；沉积厚度为5nm至200nm。5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述阻挡层表面形成金属互连层包括：在所述阻挡层的表面形成层间介质层；对所述层间介质层和所述阻挡层进行刻蚀，以形成沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁旭斋，吴孝哲，张锋，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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