半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，包括：形成衬底、鳍部、隔离层，且隔离层表面低于鳍部的顶部表面，位于延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第一隔离层，位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第二隔离层；在鳍部之间形成牺牲层，去除部分位于所述第一隔离层上的牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽；在所述凹槽内形成介质层，所述介质层与位于所述介质层下方的第一隔离层构成第一隔离结构；去除剩余所述牺牲层；所述第二隔离层用于构成第二隔离结构。由于采用填充的方式在凹槽中形成介质层，使得所述介质层与其两侧的鳍部结合紧密，扩大了后续形成伪栅结构的工艺窗口，从而提高了所述伪栅结构的稳定性。

Semiconductor Structure and Its Formation Method

A semiconductor structure and its forming method include: forming a substrate, fin, isolation layer, and the isolation layer surface is lower than the top surface of the fin, the isolation layer between adjacent fins in the extension direction is the first isolation layer, and the isolation layer between adjacent fins in the vertical extension direction is the second isolation layer; forming a sacrificial layer between fins, and the removal part is located in the first one. The sacrificial layer on the isolation layer exposes the isolation layer to form a groove; the medium layer in the groove forms a first isolation structure with the first isolation layer located below the medium layer; the remaining sacrificial layer is removed; and the second isolation layer is used to form a second isolation structure. As a dielectric layer is formed in the groove by filling method, the dielectric layer is tightly combined with the fins on both sides of the groove, and the process window for subsequent formation of the pseudo-grid structure is enlarged, thereby improving the stability of the pseudo-grid structure.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高元件密度以及更高集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此随着半导体器件元件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越小，这容易使栅极对沟道电流的控制能力变弱，从而产生短沟道效应，进而影响半导体器件的电学性能。为了克服晶体管的短沟道体效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多面栅器件，即栅极结构可以从不同面对鳍部控制。随着半导体器件尺寸的不断缩小，相邻鳍部之间的距离随之减小，造成形成半导体结构工艺难度增大，工艺流程复杂。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，简化了工艺流程，提高鳍式场效应晶体管的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；在所述鳍部之间形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面，位于延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第一隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；在所述鳍部之间形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面，位于延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第一隔离层，位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第二隔离层；在所述鳍部之间形成牺牲层，所述牺牲层表面与所述鳍部表面齐平，位于所述第一隔离层上的牺牲层为第一牺牲层，位于所述第二隔离层上的牺牲层为第二牺牲层；去除部分所述第一牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽；在所述凹槽内形成介质层，所述介质层与位于所述介质层下方的第一隔离层构成第一隔离结构；去除剩余所述牺牲层；所述第二隔离层用于构成第二隔离结...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；在所述鳍部之间形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面，位于延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第一隔离层，位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第二隔离层；在所述鳍部之间形成牺牲层，所述牺牲层表面与所述鳍部表面齐平，位于所述第一隔离层上的牺牲层为第一牺牲层，位于所述第二隔离层上的牺牲层为第二牺牲层；去除部分所述第一牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽；在所述凹槽内形成介质层，所述介质层与位于所述介质层下方的第一隔离层构成第一隔离结构；去除剩余所述牺牲层；所述第二隔离层用于构成第二隔离结构。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料是非晶硅或氮化硅或者单晶硅。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度在500埃～3000埃的范围内。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除部分所述第一牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽的步骤包括：采用干法刻蚀去除所述第一牺牲层。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料是氧化硅。6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内形成所述介质层采用的工艺方法为流体化学气相沉积，工艺参数如下：温度在30℃～90℃的范围内，气体成分包括：N(SiH3)3，NH3，O2，气压在0.01Torr～10Torr的范围内，体积流量在20sccm～10000sccm的范围内。7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离层之后，在形成所述牺牲层之前，所述形成方法还包括：在所述鳍部侧壁、所述第一隔离层及所述第二隔离层上形成阻挡层。8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氧化硅或氮化硅。9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度在15埃～50埃的范围内。10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成阻挡层的步骤中，采用的工艺方法为原子层沉积法，工艺条件包括：有机硅前驱体，温度在80℃～300℃的范围内，压强在5mTorr～20Torr的范围内。11.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在去除剩余所述牺牲层至后，在形成所述第二隔离结构之前，所述形成方法还包括：去除所述第二隔离层上的阻挡层。12.如权利要11所述的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31