一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺制造技术

本发明专利技术属于太阳能多晶电池片技术领域。本发明专利技术公开太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其包括预清洗、清洗、氧化层去除和干燥等步骤，预清洗阶段采用氢氧化钠和过氧化氢混合液进行清洗，清洗阶段采用高浓度碱液进行浸渍。本发明专利技术中的方法可使用简易的槽式设备，对砂浆/金刚线硅片RIE黑硅前预清洗，不仅除去硅片切割过程中产生的损伤层、还能去除硅片表面的杂质，例如油脂、金属颗粒及其余有机物；对于原始硅片的表面杂质处理，能减少表面污染、降低体内复合，在后续的扩散，氢钝化能得到很好的钝化效果，从而提高黑硅电池转换效率。

A Cleaning Process for Black Silicon Prepared by Solar Polycrystalline RIE

The invention belongs to the technical field of solar polycrystalline battery sheets. The invention discloses a cleaning process prior to the preparation of black silicon by solar polycrystalline RIE, which includes pre-cleaning, cleaning, oxidation layer removal and drying steps. In the pre-cleaning stage, a mixture of sodium hydroxide and hydrogen peroxide is used for cleaning, and in the cleaning stage, a high concentration alkali solution is used for impregnation. The method of the invention can use simple trough type equipment to pre-clean the mortar/diamond silicon RIE black silicon, not only remove the damage layer produced during the cutting process, but also remove the impurities on the surface of silicon wafer, such as grease, metal particles and other organic matter; for the surface impurities treatment of the original silicon wafer, the surface pollution can be reduced, the internal composite can be reduced, and the subsequent diffusion can be achieved. Hydrogen passivation can achieve good passivation effect, thus improving the conversion efficiency of black silicon cells.

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺
本专利技术涉及太阳能多晶电池片
，尤其是涉及一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺。
技术介绍
由于多晶硅片存在晶界，且各向异性的特点，所以多晶硅太阳电池要多采用各向同性腐蚀制绒，目前采用的氢氟酸、硝酸和水制绒是一种低成本的产业化生产工艺，但绒面反射率高，效率低。而采用RIE制备黑硅多晶太阳电池是一种有效地降低绒面反射率，提高效率的工艺方法。但是由于切割方式原因，原始硅片表面损伤层严重且表面有大量杂质，如果对硅片直接进行RIE制备黑硅，会造成表面均匀性差，影响扩散方阻均匀性及造成PE镀膜色差，最终导致太阳能电池的转换效率较低。故需对金刚线硅片在黑硅制备前进行前清洗工艺。干法黑硅技术被确认为目前多晶效率提升最高、外观最好、工艺稳定性强的技术。但是目前干法黑硅步骤使用了传统酸制绒去损伤、且低产能的RIE设备以及高成本的设备，导致其性价比不如湿法黑硅，市场占有率相对偏低。尤其前清洗采用的酸清洗工艺表面均匀性差、抛光效果不理想，导致最终电池片外观均匀性差、效率分布不集中。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种可提高太阳能多晶硅片提升本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：a）预清洗：采用清洗液对硅片进行与清洗去除有机杂质和颗粒杂质，清洗温度为50～60℃，清洗时间2～5分钟，完成后用水冲洗；b）清洗：将经步骤a）处理后的硅片在高浓度碱性液中浸渍3～5分钟去除损伤层，温度为50～60℃，完成后用水冲洗；c）氧化层去除：将经步骤b）处理后的硅片在氢氟酸‑盐酸混合液中浸渍50～70秒去除氧化层和残余碱，完成后用水冲洗；d）干燥。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：a）预清洗：采用清洗液对硅片进行与清洗去除有机杂质和颗粒杂质，清洗温度为50～60℃，清洗时间2～5分钟，完成后用水冲洗；b）清洗：将经步骤a）处理后的硅片在高浓度碱性液中浸渍3～5分钟去除损伤层，温度为50～60℃，完成后用水冲洗；c）氧化层去除：将经步骤b）处理后的硅片在氢氟酸-盐酸混合液中浸渍50～70秒去除氧化层和残余碱，完成后用水冲洗；d）干燥。2.根据权利要求1所述的一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其特征在于：所述步骤a）中的清洗液由氢氧化钠溶液、过氧化氢和水按体积比1：（1～2.5）：（4～7）组成。3.根据权利要求2所述的一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其特征在于：所述步骤a）中的清洗液由氢氧化钠溶液、过氧化氢和水按体积比1：1：6组成。4.根据权利要求2或3所述的一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：厉文斌，赵颖，郑正明，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33