The invention discloses a method for forming an oxide layer, which comprises the following steps. First, a base is provided. Then, one surface of the substrate is treated to form a surface containing oxygen ions. A rotating coating dielectric layer is formed on the surface of oxygen-containing ions on the substrate. The invention also provides a method for forming an oxide layer, comprising the following steps. First, a base is provided. Then, one surface of the substrate is treated with hydrogen peroxide or one surface of the substrate is treated with oxygen-containing gas to form an oxygen-containing ion surface. A rotating coating dielectric layer is formed on the surface of oxygen-containing ions on the substrate.
【技术实现步骤摘要】
形成氧化层的方法
本专利技术涉及一种形成氧化层的方法，尤其是涉及一种以旋转涂布介电质(Spin-OnDielectric，SOD)制作工艺形成氧化层的方法。
技术介绍
现今介电材料的沉积方式大多以旋转涂布介电质(Spin-OnDielectric，SOD)制作工艺，或者化学气相沉积法(Chemicalvapordeposition，CVD)而为之。采用旋转涂布介电质制作工艺最重要的考虑因素为，只要适当地调整、改变溶剂(DBE)系统，旋转涂布介电质制作工艺即可轻易地将流体状的介电质材料涂布至具有孔洞的基材内，此乃旋转涂布介电质制作工艺的独特优势，因此现阶段半导体业界乃以旋转涂布介电质制作工艺为应用主流。一般而言，通常在半导体的结构上多将许多不同大小、规格、尺寸的沟槽(Trench)设计于一基材的上方，当以旋转涂布介电质制作工艺涂布介电质材料于该基材上之后，该介电质材料势必覆盖满该基材表面的不规则凹凸起伏。当旋转涂布介电质制作工艺完成后，该介电质成型膜中常易造成孔洞(Void)缺陷存在于沟槽偏下方之处。因此，如何消除成型膜孔洞存在的缺陷，这是本领域具有通常知识者努力的...
【技术保护点】
1.一种形成氧化层的方法，包含有：提供一基底；处理该基底的一表面，以形成一含氧离子的表面；以及形成一旋转涂布介电层于该基底的该含氧离子的表面上。
【技术特征摘要】
1.一种形成氧化层的方法，包含有：提供一基底；处理该基底的一表面，以形成一含氧离子的表面；以及形成一旋转涂布介电层于该基底的该含氧离子的表面上。2.如权利要求1所述的形成氧化层的方法，其中以一湿式前处理制作工艺处理该基底的该表面。3.如权利要求2所述的形成氧化层的方法，其中该湿式前处理制作工艺包含过氧化氢处理剂。4.如权利要求1所述的形成氧化层的方法，其中以一干式前处理制作工艺处理该基底的该表面。5.如权利要求4所述的形成氧化层的方法，其中该干式前处理制作工艺包含通入含氧气体。6.如权利要求5所述的形成氧化层的方法，其中该含氧气体包含氧气或臭氧。7.如权利要求4所述的形成氧化层的方法，其中该干式前处理制作工艺的制作工艺温度小于500℃。8.如权利要求1所述的形成氧化层的方法，还包含：在处理该基底的该表面之前，进行一粒子移除制作工艺。9.如权利要求8所述的形成氧化层的方法，其中该粒子移除制作工艺包含一高压清洗制作工艺。10.如权利要求1所述的形成氧化层的方法，其中该氧化层包含一浅沟槽绝缘层或一层间介电层。11.一种形成氧化层的方法，包含有：提供一基底；以过氧化氢处理该基底的一表面，以形成一含氧离子的表面；以及形成一旋转涂布介电层于该基底的该含氧离子的表面上。12....
【专利技术属性】
技术研发人员：黄承栩，李瑞珉，张景翔，陈意维，刘玮鑫，邹世芳，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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