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本发明公开一种形成氧化层的方法，其包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，处理基底的一表面，以形成一含氧离子的表面。接续，形成一旋转涂布介电层于基底的含氧离子的表面上。本发明又提供一种形成一氧化层的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。