半导体器件及形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上的第一金属层，在所述第一金属层上的第二金属层，以及在所述第二金属层上的焊球，其中，所述第一金属层与所述第二金属层之间形成起伏且紧密结合的结合面。本发明专利技术改进了凸块封装的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及形成方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及半导体封装工艺中使用的一种铜柱结构。
技术介绍
随着可携式及高性能微电子产品向短、小、轻、薄化方向发展，传统的晶片与各式基材结合的封装技术已不能满足现在消费电子产品的需求，取而代之的凸块封装(bumping)成为晶圆级封装的关键技术。在凸块封装工艺中，多用电镀的方法进行再布线或形成铜柱凸块。在通常的生产过程中，常常出现铜柱与基材剥离的现象，影响了产品的可靠性。铜柱与基材剥离的原因有多种，例如，因为铜柱与基材之间的结合力较差导致铜柱与基材剥离，或者铜柱在生产过程中因为温度变化等原因造成变形进而导致铜柱与基材剥离，以及封装过程中封装材料带来的应力变化导致铜柱与基材剥离等。因此，需要一种更先进的半导体结构以及相应的半导体生产工艺流程来解决铜柱与基材剥离的问题，特别是需要一种能够有效针对各种原因造成的铜柱与基材剥离问题的方案，从而改进凸块封装的性能和可靠性。
技术实现思路
为了解决上述现有技术中存在的问题，本专利技术提出了一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上的第一金属层，在所述第一金属层上的第二金属层，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上的第一金属层，在所述第一金属层上的第二金属层，以及在所述第二金属层上的焊球，其中，所述第一金属层与所述第二金属层之间形成起伏且紧密结合的结合面。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上的第一金属层，在所述第一金属层上的第二金属层，以及在所述第二金属层上的焊球，其中，所述第一金属层与所述第二金属层之间形成起伏且紧密结合的结合面。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层之间的结合区域相互镶嵌。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层之间的结合区域的水平剖面为齿轮状。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述水平剖面为中间具有空心圆的齿轮状。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层之间的结合区域的水平剖面为环状。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还有钝化层在所述半导体衬底上，所述钝化层围绕所述第一金属层，所述钝化层在与所述第一金属层衔接处具有台阶状结构，所述台阶状结构的上层伸出部分压住所述第一金属层的边缘。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一金属层与所述第二金属层之间还有一层下底层金属层。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层的材料是铝。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层的材料是铜。10.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一金属层，图案化所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵耀斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11