下载半导体器件及形成方法的技术资料

文档序号:19937029

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本发明提供了一种半导体器件,包括:半导体衬底,在所述半导体衬底上的第一金属层,在所述第一金属层上的第二金属层,以及在所述第二金属层上的焊球,其中,所述第一金属层与所述第二金属层之间形成起伏且紧密结合的结合面。本发明改进了凸块封装的性能和可靠...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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