The invention provides a laser marking method which can improve the flatness of the peripheral part of the wafer compared with the previous method. In the method of printing a laser marker with multiple points on a silicon wafer, each of the above points is formed by means of the first process (E) and the second process (E 2). The first process (E) irradiates the laser at a specified position on the outer periphery of the first radial silicon wafer, and the second process (E 2) irradiates the laser at a specified position on the outer periphery of the above-mentioned silicon wafer. The second process (E 2) compares the laser with the first beam. The second beam with small diameter irradiates radially at the prescribed position.
【技术实现步骤摘要】
激光标记的刻印方法、带激光标记的硅晶片及其制造方法
本专利技术涉及激光标记的刻印方法、带激光标记的硅晶片的制造方法及带激光标记的硅晶片。
技术介绍
以往，作为半导体设备的基板而广泛地使用硅晶片。该硅晶片如以下这样得到。即，首先将借助切克劳斯基（Czochralski，CZ）法等培育的单结晶硅锭切断为块，将块的外周部磨削，然后进行切片。对通过切片得到的硅晶片实施倒角处理、平坦化（研磨）处理。有时在被实施研磨处理后的硅晶片的正面或背面的外周部上，借助激光的照射而刻印用于晶片管理或识别的识别符号（标记）。由激光刻印的标记（以下，称作“激光标记”）利用由多个凹部（点）的集合形成的字符或记号构成，具有能够由目视或照相机等识别的大小。借助上述激光的照射，在各点的周缘上形成环状的隆起部。因此，对被刻印了上述激光标记的硅晶片的至少刻印有激光标记的区域（以下，也称作“激光标记区域”）实施蚀刻处理而将上述隆起部除去，然后，对硅晶片的表面实施抛光处理（例如，参照专利文献1）。接着，对被实施了抛光处理的硅晶片实施最终清洗，然后进行各种检查，将满足规定的品质基准的晶片作为产品出厂。近年来，...
【技术保护点】
1.一种激光标记的刻印方法，所述激光标记的刻印方法是向硅晶片刻印具有多个点的激光标记的方法，所述激光标记的刻印方法的特征在于，将前述多个点的每一个借助第1工序和第2工序形成，所述第1工序将激光以第1束径向前述硅晶片的外周部的规定的位置照射，所述第2工序将激光以比前述第1束径小的第2束径向前述规定的位置照射。
【技术特征摘要】
2017.06.19 JP 2017-1195361.一种激光标记的刻印方法，所述激光标记的刻印方法是向硅晶片刻印具有多个点的激光标记的方法，所述激光标记的刻印方法的特征在于，将前述多个点的每一个借助第1工序和第2工序形成，所述第1工序将激光以第1束径向前述硅晶片的外周部的规定的位置照射，所述第2工序将激光以比前述第1束径小的第2束径向前述规定的位置照射。2.如权利要求1所述的激光标记的刻印方法，其特征在于，前述第1束径是前述第2束径的超过100%且120%以下。3.如权利要求1或2所述的激光标记的刻印方法，其特征在于，前述第1工序借助多次的激光...
【专利技术属性】
技术研发人员：桥井友裕，桥本大辅，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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