A surface treatment method for GaAs substrate includes the following steps: (1) thinning the GaAs substrate; (2) uniformly acting on the GaAs substrate by pulsed laser; (3) cleaning the GaAs substrate by deionized water after pulsed laser action; (4) drying the GaAs substrate after deionized water with hot nitrogen to obtain a clean GaAs substrate. This method is simple, efficient and does not introduce stimulating chemical reagents. The surface of GaAs substrate can be cleaned by means of pulsed laser, deionized water and hot nitrogen. There are no organic and impurity particles on the surface of GaAs substrate after treatment, which ensures the interface contact quality after subsequent metal evaporation, prevents electrode dropping and device voltage abnormality, and improves the product. Yield and device performance ensure surface cleanliness to the greatest extent, but also improve production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓衬底的表面处理方法
本专利技术涉及一种LED和/或LD用的砷化镓衬底的表面处理方法，属于材料加工
技术介绍
砷化镓作为一种重要的III-V族直接带隙化合物半导体材料，因其电子迁移率高、禁带宽度大、消耗功率低等特性在微电子和光电子器件领域得到广泛的应用。砷化镓是目前仅此于半导体硅的生产量最大、应用最广、最为重要的化合物半导体材料，在微波器件、发光器件方面展现出了巨大的发展潜力，特别是目前红光LED和LD器件领域，砷化镓仍为主流衬底材料。鉴于砷化镓衬底在红光LED和LD器件方面的重要应用，其表面处理显得格外重要，直接影响器件结构的稳定性及光电参数，例如在衬底表面生长外延层之前，往往需要进行化学清洗以保证表面的洁净，从而确保后续外延结构的质量，再比如芯片生产过程中的衬底减薄工艺，减薄后的衬底在进行背面欧姆接触电极蒸镀前，需要进行表面化学清洗以保证蒸镀质量，若表面无法保持洁净将直接导致芯片电压升高，更严重的将导致电极脱落。因此，在器件应用方面，如何保证砷化镓衬底的表面洁净成为关乎器件最终性能的重要因素。目前普遍的砷化镓衬底表面处理方法为化学清洗或腐蚀，...
【技术保护点】
1.一种砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是，包括以下步骤：(1)对砷化镓衬底进行减薄；(2)将脉冲激光均匀作用于砷化镓衬底表面；(3)将脉冲激光作用后的砷化镓衬底用去离子水清洗；(4)将去离子水清洗后的砷化镓衬底用热氮烘干,得到表面洁净的砷化镓衬底。
【技术特征摘要】
1.一种砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是，包括以下步骤：(1)对砷化镓衬底进行减薄；(2)将脉冲激光均匀作用于砷化镓衬底表面；(3)将脉冲激光作用后的砷化镓衬底用去离子水清洗；(4)将去离子水清洗后的砷化镓衬底用热氮烘干,得到表面洁净的砷化镓衬底。2.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中砷化镓衬底置于载片台上。3.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中脉冲激光的波长为248nm-1064nm。4.根据权利要求1所述的砷化镓衬底的表面处理方法，其特征是：所述步骤(2)中脉冲激光的频率...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡夕伦，闫宝华，刘琦，郑兆河，肖成峰，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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