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本发明属于太阳能多晶电池片技术领域。本发明公开太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其包括预清洗、清洗、氧化层去除和干燥等步骤，预清洗阶段采用氢氧化钠和过氧化氢混合液进行清洗，清洗阶段采用高浓度碱液进行浸渍。本发明中的方法可使用简易的槽式设...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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