The invention discloses a film forming method for depositing amorphous silicon, which comprises the following steps: step 1, preheating the semiconductor substrate silicon wafer; step 2, first deposition of amorphous silicon film on the preheated semiconductor substrate silicon wafer; step 3, NH3 plasma treatment of the semiconductor substrate silicon wafer deposited amorphous silicon film. The invention can effectively solve the bulging defect formed during film forming.
【技术实现步骤摘要】
沉积非晶硅的成膜方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种MEMS(微机电系统)工艺过程中使用到的非晶硅薄膜材料的成膜方法。
技术介绍
非晶硅是硅的同素异形体形式，能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都是有用的。现有的非晶硅膜成膜方法通常是采用直接在衬底硅片上沉积非晶硅膜的方式，这种成膜方法沉积的非晶硅膜会在成膜时在膜的表面形成鼓包的缺陷。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种沉积非晶硅的成膜方法，能够有效解决成膜时候形成的鼓包缺陷。为解决上述技术问题，本专利技术的沉积非晶硅的成膜方法，包括如下步骤：步骤1、对半导体衬底硅片进行预热；步骤2、在预热后的半导体衬底硅片上第一次沉积非晶硅薄膜；步骤3、对沉积沉积非晶硅薄膜的半导体衬底硅片进行NH3(氨气)等离子体处理。采用本专利技术的方法使用多步工艺形成的非晶硅薄膜，可以有效的解决成膜时候形成的鼓包缺陷，尤其是可以有效的防止在MEMS工艺方法中作为牺牲层使用的非晶硅薄膜，由于鼓包引起的后续微桥结构不稳定。本专利技术的方法可操作性较强。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是改进的沉积非晶硅的成膜方法一实施例流程图。具体实施方式结合图1所示，改进后的沉积非晶硅的成膜方法，在下面的实施例中其实施过程如下：步骤一、准备一半导体衬底硅片。步骤二、对所述半导体衬底硅片进行预热。预热温度在200℃～450℃...
【技术保护点】
1.一种沉积非晶硅的成膜方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、对半导体衬底硅片进行预热；步骤2、在预热后的半导体衬底硅片上第一次沉积非晶硅膜；步骤3、对沉积沉积非晶硅薄膜的半导体衬底硅片进行NH3等离子体处理。
【技术特征摘要】
1.一种沉积非晶硅的成膜方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、对半导体衬底硅片进行预热；步骤2、在预热后的半导体衬底硅片上第一次沉积非晶硅膜；步骤3、对沉积沉积非晶硅薄膜的半导体衬底硅片进行NH3等离子体处理。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括步骤4，进行第二次非晶硅膜沉积。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述非晶硅膜的材料为多层复合结构。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：实施步骤1时，预热温度在200～450℃之间，Ar流量为10～200ml/min，时间在1～5min之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘善善，朱黎敏，朱兴旺，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。