一种90度电桥微波集成电路芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。

A 90 Degree Bridge Microwave Integrated Circuit Chip Architecture

The utility model discloses a 90-degree bridge microwave integrated circuit chip structure, which comprises a bridge chip. The bridge chip comprises a lower layer metal and an upper layer metal arranged on the lower layer metal. The lower layer metal is provided with a cross metal microstrip line between the lower layer metal and the upper layer metal. The lower layer metal comprises a left microstrip, a middle microstrip and a right microstrip, and the left microstrip. The middle microstrip and the right microstrip are provided with the upper metal, and the left microstrip and the right microstrip are connected with the upper metal. A gap is arranged between the middle microstrip and the upper metal.

【技术实现步骤摘要】
一种90度电桥微波集成电路芯片结构
本技术涉及一种90度电桥微波集成电路芯片结构。
技术介绍
传统的电桥芯片在大功率输入的时候会产生电压击穿以及热烧毁的情况，应用场合受到很大的限制，在需要处理大功率信号的场合通常不能够使用电桥芯片。上述缺陷，值得改进。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足，本技术提供一种90度电桥微波集成电路芯片结构。本技术技术方案如下所述：一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。进一步的，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带依次并行排列分布设置。进一步的，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上与所述上层金属呈圆弧交叉分布设置。进一步的，所述中间微带在与所述上层金属交叉的区域设置有加宽微带。进一步的，所述左侧微带与所述加宽微带相匹配设置。进一步的，所述右侧微带与所述加宽微带相匹配设置根据上述方案的本技术，其有益效果在于，本技术的上层金属通过圆弧桥式结构与下层金属交叉，中间为空气无介质，下层中间金属设置有加宽微带，在不影响电路性能的情况下使其能够承受大功率的信号输入，避免发生电压击穿以及发生热烧毁的现象，本技术结构简单，成本低，利于批量生产以及广泛应用。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为本技术的结构另一视角示意图。在图中，1、左侧微带；2、中间微带；3、右侧微带；4、上层金属；5、间隙；6、加宽微带。具体实施方式下面结合附图以及实施方式对本技术进行进一步的描述：如图1-2所示，一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属4，所述下层金属与所述上层金属4之间设置有交叉金属微带线，所述交叉金属微带线为圆弧交叉分布设置，所述下层金属包括左侧微带1、中间微带2以及右侧微带3，所述左侧微带1、所述中间微带2以及所述右侧微带3依次并行排列分布设置。所述左侧微带1、所述中间微带2以及所述右侧微带3上设置有所述上层金属4，且所述左侧微带1以及所述右侧微带3与所述上层金属4连接，所述中间微带2与所述上层金属4之间设置有间隙5。所述中间微带2在与所述上层金属4交叉的区域设置有加宽微带6，并且相邻的所述左侧微带1与所述加宽微带6相匹配设置，即在中间微带2的左部设置加宽微带6，相邻的左侧微带1对应设置与加宽微带的凹区，同时左侧微带的宽度保持不变。在中间微带2的右部设置加宽微带6，相邻的所述右侧微带3与加宽微带6相匹配设置，则相邻的右侧微带3对应设置与加宽微带的凹区，同时右侧微带的宽度保持不变。本技术的上层金属通过圆弧桥式结构与下层金属交叉，中间为空气无介质，下层中间金属设置有加宽微带，在不影响电路性能的情况下使其能够承受大功率的信号输入，避免发生电压击穿以及发生热烧毁的现象，本技术结构简单，成本低，利于批量生产以及广泛应用。本技术一种能够耐受大功率信号输入的电桥芯片，通过对于电桥芯片发生电压击穿以及热烧毁的部位进行改进设计，使其能够承受大功率的信号输入。传统的电桥芯片在金属微带线交叉但又不相连的部分易发生电压击穿的情况，这是由于上下层金属在交叉部分形成了电容结构，电容结构中包含的介质极易被电压击穿。本技术改进了金属微带线交叉结构，上层金属通过桥式结构与下层金属交叉，中间为空气无介质，在不影响电路性能的情况下使其能够承受大功率的信号输入。传统的电桥芯片在金属微带线交叉但又不相连的部分易发生热烧毁的情况，这是由于交叉部分的微带线为单层金属（电桥其余部分为两层或多层金属），单层金属的电流通过能力即功率通过能力非常有限，本技术改进了金属微带线交叉结构，设置加宽微带，使用了工艺允许的最大宽度，在不影响电路性能的情况下使其能够承受大功率的信号输入。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。上面结合附图对本技术专利进行了示例性的描述，显然本技术专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本技术专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。

【技术特征摘要】
1.一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：高海波，
申请(专利权)人：此芯半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44