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无中频输出电桥微波场效应晶体管平衡混频器制造技术

技术编号:3399683 阅读:376 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种无中频输出电桥微波场效应晶体管平衡混频器,由于无中频输出电桥,电路的面积将大为减小,因而就可实现单片集成。本发明专利技术的平衡混频器在涉频输入端使用两个涉频输入电桥或移相器使加在场效应晶体管的射频信号与本振电压均幅值相等,相位相反,这样在中频输出端勿需电桥即可获得同样优良的性能,在射频端由于频率高,所用电桥或移相器的尺寸显著较小,因而就可以单片集成。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种由场效应晶体管等构成的无中频输出电桥单面单片集成微波场效应晶体管平衡混频器,其特征是功分器1和功分器2的两输出端分别与射频输入电桥1与射频输入电桥2的输入端交叉相连接,射频输入电桥1和射频输入电桥2各有一个输出端经匹配阻抗接地,射频输入电桥1、2各自的另一输出端分别与场效应晶体管T1与T2的栅极相连接,场效应晶体管T1、T2的漏极相接后与滤波器的输入端相接,滤波器的输出端得到中频输出信号,场效应管T1、T2的源极接地;或者移相器1的输出端与场效应晶体管T1、T2的栅极相连接,场效应晶体管T1、T2的漏极与移相器2的输出端相连接后与滤波器输入端相连接,滤波器输出端输出中频信号,场效应晶体管T1、T2的源极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴咏诗张进心王安国
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:12[中国|天津]

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