金属氧化物半导体场效应晶体管及主板供电器制造技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括呈板状的基体、嵌入在所述基体底面内且外露的漏极板部，所述基体底面一侧边沿嵌入有多个漏极针脚、另一侧边沿嵌入有多个源极针脚，还包括嵌入在所述基体顶面内且外露的源极板部。晶体管还在基体的顶面设置了源极板部，其中源极板部外露，且作为源极一部分，可以有效地对源极进行散热。即通过增加源极板部有效地增加了散热面积，进而大大提高了源极的散热速率，所以有效地解决了整个晶体管温度过高的问题，从而保护了周围的电子元器件，从而保证了产品的稳定性和安全性。本发明专利技术还公开了一种包括上述金属氧化物半导体场效应晶体管的主板供电器。

Metal oxide semiconductor field effect transistor and main board power supply

The invention discloses a metal oxide semiconductor field effect transistor, which comprises a plate-like substrate, a leaky plate embedded in and exposed in the bottom of the substrate, a plurality of leaky pins embedded in one side edge of the substrate, a plurality of source pins embedded in the other side edge, and an exposed source plate embedded in the top surface of the substrate. The transistor is also equipped with a source plate on the top of the matrix, in which the source plate is exposed, and as a part of the source, it can effectively heat the source. That is to say, by increasing the heat dissipation area of the source plate, the heat dissipation rate of the source plate is greatly increased, so the problem of high temperature of the whole transistor is effectively solved, and the surrounding electronic components are protected, thus ensuring the stability and safety of the product. The invention also discloses a main board power supply comprising the metal oxide semiconductor field effect transistor.

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物半导体场效应晶体管及主板供电器
本专利技术涉及电子器件
，更具体地说，涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管，还涉及一种包括上述金属氧化物半导体场效应晶体管的主板供电器。
技术介绍
随着个人电脑的普及、各种数据云的发展，服务器和个人电脑的应用范围越来越多广。这样服务器与个人电脑的主板越来越多，而主板供电部分必然会用到的就是PowerMOS(功率管)，作为电源开关使用。但在实际应用时，PowerMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)因为功率巨大，且由于主板空间有限，PowerMOSFET的尺寸不能太大，所以PowerMOSFET非常的热，温度经常超过会超过85℃，且由于温度过高，会导致PowerMOSFET的通电流能力变差，影响了自身的可靠性与寿命，还会对旁边的零件散热产生影响，导致其他零件出现异常。综上所述，如何有效地解决金属氧化物半导体场效应晶体管的散热效果不好的问题，是目前本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的第一个目的在于提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管，该金属氧化物半导体场效应晶体管可以有效地解决金属氧化物半导体场效应晶体管的散热效果不好的问题，本专利技术的第二个目的是提供一种包括上述金属氧化物半导体场效应晶体管的主板供电器。为了达到上述第一个目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括呈板状的基体、嵌入在所述基体底面内且外露的漏极板部，所述基体底面一侧边沿嵌入有多个漏极针脚、另一侧边沿嵌入有多个源极针脚，还包括嵌入在所述基体顶面内且外露的源极板部。根据上述的技术方案，可以知道在该金属氧化物半导体场效应晶体管中，在基体的底面处设置有漏极板部，以可以对漏极处热量进行散热。同样的，该晶体管还在基体的顶面设置了源极板部，其中源极板部外露，且作为源极一部分，可以有效地对源极进行散热。即通过增加源极板部有效地增加了散热面积，进而大大提高了源极的散热速率，所以有效地解决了整个晶体管温度过高的问题，从而保护了周围的电子元器件，从而保证了产品的稳定性和安全性。优选地，还包括设置在所述基体内部且与实体芯片连接的源极连接板，所述源极板部与所述源极连接板通过铜排导电连接。优选地，所述源极针脚与所述源极连接板之间通过铜丝连接。优选地，所述铜排呈直杆状、垂直于所述源极板部且垂直于所述源极连接板设置。优选地，所述源极板部的顶面外露面积不小于所述基体顶面外轮廓内面积的三分之一。优选地，所述铜排的横截面呈圆形，所述源极板部为矩形板部。优选地，所述源极板部顶面设置有凹槽。优选地，所述源极板部的顶面设置有散热薄膜绝缘胶层。优选地，还包括设置在所述基体顶面上侧的散热模块，所述散热模块下侧覆盖在所述源极板部上且与所述源极板部之间设置有散热硅胶。优选地，所述基体的底面一侧边沿嵌入有四根所述漏极针脚、相对的另一侧边沿设置有三根所述源极针脚和一根栅极针脚。为了达到上述第二个目的，本专利技术还提供了一种主板供电器，该主板供电器包括上述任一种金属氧化物半导体场效应晶体管。由于上述的金属氧化物半导体场效应晶体管具有上述技术效果，具有该金属氧化物半导体场效应晶体管的主板供电器也应具有相应的技术效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的核心结构连接示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种金属氧化物半导体场效应晶体管的核心结构连接示意图；图3为本专利技术实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管的顶面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管的底面结构示意图。附图中标记如下：基体1、漏极板部2、漏极针脚3、源极针脚4、栅极针脚5、铜排6、源极板部7、源极连接板8、铜丝9、凹槽10。具体实施方式本专利技术实施例公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，以有效地解决金属氧化物半导体场效应晶体管的散热效果不好的问题。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-图4，图1为本专利技术实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管的核心结构连接示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种金属氧化物半导体场效应晶体管的核心结构连接示意图；图3为本专利技术实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管的顶面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管的底面结构示意图。在一种具体实施例中，本实施例提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管(PowerMOSFET)。具体的该金属氧化物半导体场效应晶体管包括基体1、漏极(Drain极)和源极(Source极)等，一般还包括栅极(Gate极)。其中基体1用固定各个极以及对应的其它一些结构，而其中各个极之间的连接关系可以参考现有技术。在本实施例中，其中基体1呈板状，其中各个极，即漏极、源极以及栅极均嵌入在基体1中，其中基体1一般为环氧树脂板。在基体1底面的一侧边沿嵌入有多个漏极针脚3，而另一侧边沿嵌入有多个源极针脚4。一般在基体1一侧会设置有四个呈杆状的漏极针脚3，而在相对应的另一侧，一般会设置有三个源极针脚4以及一根栅极针脚5，且底面均外露设置且与基体1的底面位于同一平面内。其中在基体1底面内一般会嵌入有漏极板部2(Drainpad)，漏极板部2的底面外露设置，一般与基体1底面位于同一平面内。其中漏极板部2与漏极针脚3一般一体成型，之间导电连接。其中漏极板部2的内部连接方式，可以参考现有技术，在此不再赘述。而在基体1顶面设置有源极板部7，其中源极板部7嵌入在基体1的顶面内。为了保证整体平整，此处优选源极板部7的顶面与基体1的顶面位于同一平面上。其中源极板部7作为源极的一部分，其连接关系应当与源极针脚4一致，即与哪个结构进行连接，具体的可以参考现有技术，而连接方式可以不一致，采用什么连接，可以与源极针脚4不同，可以根据需要进行设置。一般在金属氧化物半导体场效应晶体管中，基体1内部设置有实体芯片(Die)，其中的源极针脚4以及源极板部7均与上述实体芯片直接或间接导电连接。一般为了方便连接，还会在基体1的内部设置有源极连接板8，源极连接板8贴靠实体芯片设置，且与实体芯片之间连接，实体芯片位于源极连接板8与漏极板部2之间。其中源极针脚4以及源极板部7均与源极连接板8进行导电连接。在本实施例中，在该金属氧化物半导体场效应晶体管中，在基体1的底面处设置有漏极板部2，以可以对漏极处热量进行散热。同样的，该晶体管还在基体1的顶面设置了源极板部7，其中源极板部7外露，且作为源极一部分，可以有效地对源极进行散热。即通过增加源极板部7，有效地增加了散热面积，进而大大提高了源极的散热速率，所以有效地解决了整个晶体管温度过高的问题，从而保护了周围的电子元器件，从而保证了产品本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括呈板状的基体、嵌入在所述基体底面内且外露的漏极板部，所述基体底面一侧边沿嵌入有多个漏极针脚、另一侧边沿嵌入有多个源极针脚，其特征在于，还包括嵌入在所述基体顶面内且外露的源极板部。

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括呈板状的基体、嵌入在所述基体底面内且外露的漏极板部，所述基体底面一侧边沿嵌入有多个漏极针脚、另一侧边沿嵌入有多个源极针脚，其特征在于，还包括嵌入在所述基体顶面内且外露的源极板部。2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，还包括设置在所述基体内部且与实体芯片连接的源极连接板，所述源极板部与所述源极连接板通过铜排导电连接。3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述铜排呈直杆状、垂直于所述源极板部设置且垂直于所述源极连接板设置。4.根据权利要求3所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述源极板部的顶面外露面积不小于所述基体顶面外轮廓内面积的三分之一。5.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述铜排的横...

【专利技术属性】
技术研发人员：于浩，王晓澎，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41