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本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括呈板状的基体、嵌入在所述基体底面内且外露的漏极板部，所述基体底面一侧边沿嵌入有多个漏极针脚、另一侧边沿嵌入有多个源极针脚，还包括嵌入在所述基体顶面内且外露的源极板部。晶体管还在基体的顶面设置...
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