一种半导体器件及其制造方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供基底，在所述基底的至少部分表面上形成有氧化物；对所述基底的表面进行预处理，其中，所述预处理包括以下步骤：通入包括含Ge的化合物与第一载气的混合气体对所述基底的表面进行处理，以去除所述氧化物；在所述基底表面外延生长外延层。该方法在低温下即可实现对基底表面氧化物的去除，并且还可以和后续的外延生长工艺在同一腔室中执行，使外延生长工艺更加简单易操作，从而保证后续生长的外延层具有良好的质量，进一步提高器件的性能和可靠性。

A Semiconductor Device and Its Manufacturing Method and Electronic Device

The present invention provides a semiconductor device, a manufacturing method and an electronic device. The method includes: providing a substrate on which oxides are formed on at least part of the surface of the substrate; pretreatment of the surface of the substrate, in which the pretreatment comprises the following steps: entering a mixture of a compound containing Ge and a first carrier gas to carry out the surface of the substrate. To remove the oxide, an epitaxial layer is epitaxially grown on the surface of the substrate. The method can remove the oxide on the substrate surface at low temperature, and can also be carried out in the same chamber with the subsequent epitaxy growth process, making the epitaxy growth process more simple and easy to operate, thus ensuring the good quality of the subsequent epitaxy layer, and further improving the performance and reliability of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。
技术介绍
如何低温外延生长SiGe外延是3D结构应用中面临的一个难题，其中，3D结构包括FinFET或者单片(monolithic)三维集成电路((3DIC)等。SiGe外延生长的生长温度通常在450℃左右，然而为了是外延生长顺利进行，需要在SiGe外延生长工艺之前，用氢气或氢气和氯化氢(HCl)对基底表面进行预处理(pretreatment)，以去除自然氧化物(nativeoxide)和/或化学氧化物(chemicaloxide)，其中，预处理的温度为800℃。或者，还可以使用NH4F去除自然氧化物。通常利用包括NF3和NH3的等离子刻蚀腔室诱导NF3和NH3反应形成为NH4F，来处理自然氧化物。在室温下，氧化硅和NHxFy发生如下列反应方程式的化学反应：SiO2+NHxFy→(NH4)SiF6+H2O。然后通过在200℃下进行退火来移除副产物。在去除自然氧化物之后，将晶圆放入包括SiH4和GeH4源气体的外延腔室(epitaxialchamber)中，然后在45本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，在所述基底的至少部分表面上形成有氧化物；对所述基底的表面进行预处理，其中，所述预处理包括以下步骤：通入包括含Ge的化合物与第一载气的混合气体对所述基底的表面进行处理，以去除所述氧化物；在所述基底表面外延生长外延层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，在所述基底的至少部分表面上形成有氧化物；对所述基底的表面进行预处理，其中，所述预处理包括以下步骤：通入包括含Ge的化合物与第一载气的混合气体对所述基底的表面进行处理，以去除所述氧化物；在所述基底表面外延生长外延层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述预处理步骤还包括：通入所述混合气体的步骤之后，执行第一气体冲洗的步骤。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，循环交替地执行通入所述混合气体的步骤和所述第一气体冲洗的步骤若干次。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述含Ge化合物具有低的浓度，其中，所述含Ge的化合物的气体流量小于所述混合气体的总气体流量的0.5％。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通入所述混合气体时的温度范围为400℃～600℃，压力小于0.5Torr。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外延层的材料包括Si、Ge和SiGe中的至少一种。7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外延层的材料包括SiGe，形成所述外延层的方法包括以下步骤：通入Ge源气体和第二载气，以形成Ge层；执行第二气体冲洗；通入Si源气体和第三载气，以形成Si层，其中，循环交替地执行所述通入Ge源气体和所述第二载气、所述第二气体冲洗和所述通入Si源气体和第三载气的步骤，直到形成预定...

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31