温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供基底，在所述基底的至少部分表面上形成有氧化物；对所述基底的表面进行预处理，其中，所述预处理包括以下步骤：通入包括含Ge的化合物与第一载气的混合气体对所述基底的表面进行处理，以...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。