【技术实现步骤摘要】
类E类射频功率放大器
本专利技术涉及RF前端集成电路，特别是指一种类E类功率放大器。
技术介绍
功率放大器简称功放，其作用主要是将输入的较微弱信号进行放大后，输出足够大的功率去推动负载。传统的单端类E类功率放大器如图1所示，包含有两串联的MOS管M1、M2，以及电阻、电容、电感等器件，级联晶体管可以避免电路被击穿。单端的输出使得电路的负载能力较弱。图2是一种组合的单端类E类功率放大器，简单来说，就是将两个图1所示的单端类E类功率放大器进行并联，将两路的输出功率经过功率合成器合并形成一个较强的输出端口，来提高输出功率。其缺点是因为使用了两路甚至更多的单端类E类功率放大器，元器件多，占用了较大的芯片面积。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种类E类功率放大器。为解决上述问题，本专利技术所述的一种类E类功率放大器，包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第三共3个电感、第一～第五共5个电容：两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容...
【技术保护点】
1.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第三共3个电感、第一～第五共5个电容：两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接电压VB，所述电压VB为一偏置电压，采用连接电源或者其他偏置电压，根据电路需要进行调整；第二MOS的漏端依次串接第二电容以及第二电感后，形成第二输出端，且第二输出端还通过一第四电容接地；第一MOS的漏端依次串接第三电容以及第三电感后...
【技术特征摘要】
1.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第三共3个电感、第一～第五共5个电容：两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接电压VB，所述电压VB为一偏置电压，采用连接电源或者其他偏置电压，根据电路需要进行调整；第二MOS的漏端依次串接第二电容以及第二电感后，形成第二输出端，且第二输出端还通过一第四电容接地；第一MOS的漏端依次串接第三电容以及第三电感后，形成第一输出端，且第一输出端还通过一第五电容接地。2.如权利要求1所述的类E类射频功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均为NMOS管，两个MOS管均提供输出，且每个MOS管均为漏端输出。3.如权利要求2所述的类E类射频功率放大器，其特征在于：所述的两个MOS管的漏端输出具有类似的输出曲线，即相位相同，仅振幅不同。4.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第三共3个电感、第一～第五共5个电容：两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接VB；第二MOS的漏端还依次串接第二电容以及第二电感后，连接一功率合成器的输入端，且该输入端还通过一第四电容接地；第一MOS的漏端还依次串接第三电容以及第三电感后，连接所述功率合成器的另一输入端，且该输入端还通过一第五电容接地；功率合成器的输出端形成该类E类功率放大器的总输出端。5.如权利要求4所述的类E类射频功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均为NMOS管，两个MOS管均提供输出，且每个MOS管均为漏端输出。6.一种类E类射频...
【专利技术属性】
技术研发人员：任江川，戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。