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本发明公开了一种类E类射频功率放大器，两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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