薄膜晶体管结构、阵列基板和薄膜晶体管结构的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管结构、阵列基板和薄膜晶体管结构的制造方法。所述薄膜晶体管结构包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括有源层和位于所述有源层的朝向衬底基板一侧上的源/漏极电极，并且其中，所述源/漏极电极具有沿平行于所述衬底基板的表面的方向上从所述有源层的边缘部分凸出的凸出部。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管结构、阵列基板和薄膜晶体管结构的制造方法
本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种薄膜晶体管结构、阵列基板和薄膜晶体管结构的制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管可以包括栅极电极、源/极电极、有源层、栅极绝缘层等。薄膜晶体管被广泛应用各种显示装置中，例如，液晶显示器、有机发光二极管显示器等。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管结构、阵列基板和薄膜晶体管结构的制造方法。本专利技术的实施例的一个目的在于提供一种薄膜晶体管结构。所述薄膜晶体管结构包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管。其中，所述薄膜晶体管包括有源层和位于所述有源层的朝向衬底基板一侧上的源/漏极电极，并且其中，所述源/漏极电极具有沿平行于所述衬底基板的表面的方向上从所述有源层的边缘部分凸出的凸出部。在一个实施例中，所述薄膜晶体管结构还包括：位于所述有源层和所述衬底基板之间的中间层。所述中间层的朝向所述有源层的一侧上具有凹槽，所述源/漏极电极位于所述凹槽中，且所述源/漏极电极的顶表面与所述中间层的接触所述有源层的顶表面齐平。在一个实施例中，所述凹槽的深度范围为约4000-6000埃。在一个实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管结构，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括有源层和位于所述有源层的朝向衬底基板一侧上的源/漏极电极，并且其中，所述源/漏极电极具有沿平行于所述衬底基板的表面的方向上从所述有源层的边缘部分凸出的凸出部。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管结构，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括有源层和位于所述有源层的朝向衬底基板一侧上的源/漏极电极，并且其中，所述源/漏极电极具有沿平行于所述衬底基板的表面的方向上从所述有源层的边缘部分凸出的凸出部。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，还包括：位于所述有源层和所述衬底基板之间的中间层，所述中间层的朝向所述有源层的一侧上具有凹槽，所述源/漏极电极位于所述凹槽中，且所述源/漏极电极的顶表面与所述中间层的接触所述有源层的顶表面齐平。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其中，所述凹槽的深度范围为4000-6000埃。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，还包括位于所述薄膜晶体管上的绝缘层，所述绝缘层具有开口，所述开口暴露所述凸出部和所述边缘部分。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管结构，还包括位于所述开口中的导电部，所述导电部与所述凸出部和所述边缘部分接触。6.根据权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管结构，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层的远离所述衬底基板的一侧上的栅极电极和位于所述栅极电极和所述有源层与所述栅极电极之间的栅极绝缘层。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管结构，其中，所述中间层包括缓冲层。8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管结构，其中，所述中间层包括绝缘层，所述薄膜晶体管还包括位于所述中间层的朝向所述衬底基板的一侧上的栅极电极。9.根据权利要求5所述的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁录科，曹占锋，方金钢，闫梁臣，赵策，王东方，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11