【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
,尤其是涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
在液晶显示面板中,随着高世代薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay)的发展,显示面板向大型化、高画质、高分辨率演变。而随着尺寸越来越大,金属布线数量及长度均有大幅度增多。为了增加显示面板的视觉和外观效果,目前开发窄边框、甚至四边无边框技术,但此种方法与阵列基板侧朝外一样,可能存在边缘漏光、对比度降低的缺陷。现有技术以阵列基板侧朝外的方案设计并实际产出液晶显示产品,但阵列基板侧朝外时,其金属栅极(Gate)布线主要材质为Cu/Mo、Mo/Al、Cu/MoTi、Cu/Ti等强反射的金属,其金属部分的反射率都很高。一般金属电极的反射率对于波长为400-700nm的可见光,其平均反射率大于40%,强烈的反光严重影响人眼观赏的效果。而以低反射金属膜层作为阻挡层降低反射率或通过贴附低反射膜偏光片来减少金属反光等方案,会相对增加生产工艺成本。因此,需要提供一种新的可降低阵列基板上金属电极的反射率的阵列基 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:透明基板,以及位于所述透明基板一侧的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极及漏极;散射膜层,设置于所述透明基板上,所述散射膜层包括第一散射膜层及第二散射膜层,所述第一散射膜层设置于所述透明基板与所述栅极之间,所述第二散射膜层设置于所述源极、漏极与所述有源层之间,所述散射膜层表面为不规则形状的表面形态。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:透明基板,以及位于所述透明基板一侧的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极及漏极;散射膜层,设置于所述透明基板上,所述散射膜层包括第一散射膜层及第二散射膜层,所述第一散射膜层设置于所述透明基板与所述栅极之间,所述第二散射膜层设置于所述源极、漏极与所述有源层之间,所述散射膜层表面为不规则形状的表面形态。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述散射膜层的材料为氧化钼或其掺杂类金属氧化物材料。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述散射膜层的厚度为35nm~75nm。4.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:S10:提供一透明基板;S20:在所述透明基板上制备第一散射膜层;S30:在所述第一散射膜层上依次形成栅极、栅极绝缘层及有源层;S40:在所述栅极绝缘层上制备第二散射膜层;S50:在所述第二散射膜层上形成源极及漏极。其中,所述第一散射膜层设置于所述透明基板与所述栅极之间,所述第二散射膜层设置于所述源极、漏极与所述有源层之间,所述第一散射膜层与所述第二散射膜层构成散射膜层,所述散...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴豪旭,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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