一种CMOS薄膜晶体管及其制作方法技术

本申请公开了一种CMOS薄膜晶体管及其制作方法，所述薄膜晶体管包括：基板，形成于基板上的多晶硅层，形成于多晶硅层上的非晶碳膜层，其中，非晶碳膜层为致密层，以阻隔掺杂离子的渗透。通过上述方式，本申请能够提升TFT元件电性性能，提升产品质量。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS薄膜晶体管及其制作方法
本申请涉及显示
，特别是涉及一种CMOS薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)技术可分为多晶硅(Poly-Si)技术与非晶硅(a-Si)技术，两者的差异在于电晶体特性不同。与传统A-Si技术相比，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)技术虽然工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的TFTLCD和AMOLED面板的制作。LTPS根据其制作方式，主要分为N型金属氧化物半导体(NegativechannelMetalOxideSemiconductor，NMOS)、P型金属氧化物半导体(PositivechannelMetalOxideSemiconductor，PMOS)和互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)，其中NMOS晶体管和PMOS晶体管的主要区别在于所设置的源漏极接触区分别由N型离子重掺杂和P型离子重掺杂所形成，而NMOS晶体管和PMOS晶体管共同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板，形成于所述基板上的多晶硅层，形成于所述多晶硅层上的非晶碳膜层，其中，所述非晶碳膜层为致密层，以阻隔掺杂离子的渗透。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板，形成于所述基板上的多晶硅层，形成于所述多晶硅层上的非晶碳膜层，其中，所述非晶碳膜层为致密层，以阻隔掺杂离子的渗透。2.根据权利要求1所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶碳膜为由sp2、sp3杂化碳组成的非晶态和微晶态结构的含氢碳膜。3.根据权利要求2所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶碳膜为类石墨型非晶碳膜、类金刚石型非晶碳膜或类聚合物型非晶碳膜。4.根据权利要求1-3任一项所述的CMOS薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶碳膜的厚度为80～120埃。5.一种CMOS薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供基板，在所述基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成非晶碳膜层；其中，所述非晶碳膜层为致密层，以阻隔掺杂离子的渗透。6.根据权利要求5所述的CMOS薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在多晶硅层上形成非晶碳膜层包括：以乙炔和氢气的混合气体为反应气体，利用等离子体化学气象沉积法在所述多晶硅层上形成所述非晶碳膜层。7.根据权利要求6所述的CMOS薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述以乙炔和氢气的混合气体为反应气体，利用等离子体化学气象沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖东辉，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42