一种三维存储器制造技术

本申请公开了一种三维存储器，该存储器中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该三维存储器的结构有利于降低三维存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器本申请要求于2017年08月31日提交中国专利局、申请号为201710772503.4、专利技术名称为“一种3DNAND存储器件及其制造方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本申请涉及半导体存储器
，尤其涉及一种三维存储器。
技术介绍
3DNAND存储器是一种拥有三维堆叠结构的闪存器件，其存储核心区是由交替堆叠的金属栅层和绝缘层结合垂直沟道孔组成。相同面积条件下，垂直堆叠的金属栅层越多，意味着闪存器件的存储密度越大、容量越大。目前常见的存储结构的字线堆叠层数可达数十上百层。目前，常规的3DNAND存储器中，同一存储串内的各个存储单元之间串联在一起，在对存储器进行操作时，会导致3DNAND存储器中存在较大的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种三维存储器，以降低三维存储器中存在较大的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。为了达到上述专利技术目的，本申请采用了如下技术方案：一种三维存储器，包括：衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层间隔设置的栅极层以及贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔的径向向内的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层间隔设置的栅极层以及贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔的径向向内的方向依次形成于所述沟道孔侧壁的存储器层、第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层；所述第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层接触；所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中，一个为源极，另一个为漏极。

【技术特征摘要】
2017.08.31 CN 20171077250341.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层间隔设置的栅极层以及贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔的径向向内的方向依次形成于所述沟道孔侧壁的存储器层、第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层；所述第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层接触；所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中，一个为源极，另一个为漏极。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：位于所述沟道孔底部的外延结构。3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外延结构的材料包括：单晶硅。4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，用作源极的掺杂类型材料层沿所述沟道孔的轴向延伸至...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新运，王颀，付祥，夏志良，张黄鹏，曹华敏，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42