垂直式存储器及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种垂直式存储器及其制作方法，该垂直式存储器包括多个存储单元，沿垂直于基底表面的第一方向依序堆叠，其中各存储单元包括通道层、栅极、存储层、隧穿层、阻挡层及空气间隙层。通道层沿第一方向延伸，而栅极沿着平行于基底表面的第二方向设置于通道层的一侧。存储层设置于通道层与栅极之间，并沿第一方向延伸。隧穿层设置于通道层与存储层之间，并沿第一方向延伸。阻挡层设置于栅极与存储层之间，其中阻挡层覆盖栅极的顶面、底面及侧面。空气间隙层沿第一方向延伸，并设置于存储层与阻挡层之间或设置于存储层与隧穿层之间。

【技术实现步骤摘要】
垂直式存储器及其制作方法
本专利技术涉及一种垂直式存储器及其制作方法，尤其是涉及一种具有较佳效能的图像感测器及其制作方法。
技术介绍
对于传统的平面式存储器结构而言，存储单元(cell)中的栅极、源极、以及漏极等部件都设置在同一平面上，故有效存储单元的面积仅能依靠改变曝光机台的曝光线宽(CD)来微缩化(scaledown)，其存储器单位面积下所能制作的存储单元数目很难有突破性的成长。特别是现今的存储器制作工艺已进入了线宽40纳米(nm)以下的世代，具备如此线宽能力的曝光机台所费不赀，故制作工艺技术的开发成本十分昂贵。现今业界中有开发出许多制作工艺，得以使用现有的曝光机台制作出尺寸更为微缩的元件或结构，然该些制作工艺大多相当复杂，容易导致产品良率的下降，是为其一大缺点。再者，对于平面式存储器结构而言，当尺寸微缩到一定程度以下时，相邻存储单元之间必定会有严重的干扰效应，导致电性的劣化。鉴于现今平面式存储器结构在尺寸微缩方面已到达了瓶颈，业界遂开始研究开发垂直式的存储器，以大幅地降低有效存储单元所需的面积，以期存储器的存储单元数目能有突破性的成长。然而，如何改良以增进垂直式的存储器的写入/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直式存储器，包括：多个存储单元，该多个存储单元沿垂直于一基底表面的一第一方向依序堆叠，其中各该存储单元包括：通道层，沿该第一方向延伸；栅极，沿着平行于该基底表面的一第二方向设置于该通道层的一侧；存储层，设置于该通道层与该栅极之间，并沿该第一方向延伸；隧穿层，设置于该通道层与该存储层之间，并沿该第一方向延伸；阻挡层，设置于该栅极与该存储层之间，其中该阻挡层覆盖该栅极的一顶面、一底面及一侧面；以及空气间隙层，沿该第一方向延伸，并设置于该存储层与该阻挡层之间或设置于该存储层与该隧穿层之间。

【技术特征摘要】
2017.06.07 TW 1061189311.一种垂直式存储器，包括：多个存储单元，该多个存储单元沿垂直于一基底表面的一第一方向依序堆叠，其中各该存储单元包括：通道层，沿该第一方向延伸；栅极，沿着平行于该基底表面的一第二方向设置于该通道层的一侧；存储层，设置于该通道层与该栅极之间，并沿该第一方向延伸；隧穿层，设置于该通道层与该存储层之间，并沿该第一方向延伸；阻挡层，设置于该栅极与该存储层之间，其中该阻挡层覆盖该栅极的一顶面、一底面及一侧面；以及空气间隙层，沿该第一方向延伸，并设置于该存储层与该阻挡层之间或设置于该存储层与该隧穿层之间。2.如权利要求1所述的垂直式存储器，其中各该存储单元另包括：源极线，沿该第一方向延伸，其中该栅极设置于该通道层与该源极线之间；以及隔离结构，沿该第一方向延伸并设置于该栅极与该源极线之间。3.如权利要求1所述的垂直式存储器，其中该多个存储单元的该多个通道层互相连通，且该多个存储单元的该多个空气间隙层互相连通。4.如权利要求1所述的垂直式存储器，其中任两相邻的该多个存储单元的该多个栅极由一绝缘层隔开。5.如权利要求1所述的垂直式存储器，另包括第一多晶硅层与第二多晶硅层，其中该多个存储单元的该多个通道层设置于该第一多晶硅层与该第二多晶硅层之间，该第一多晶硅层设置于该通道层底部与该基底之间。6.如权利要求5所述的垂直式存储器，另包括：选择栅极，设置于最下层的该存储单元的该栅极与该基底之间；绝缘部分，对应该选择栅极设置于该第一多晶硅层上；以及介电部分，设置于该选择栅极与该绝缘部分之间。7.如权利要求5所述的垂直式存储器，另包括覆盖层，覆盖该第二多晶硅层与最上层的该存储单元的该空气间隙层。8.如权利要求1所述的垂直式存储器，其中该栅极包括金属，且该阻挡层包括高介电常数材料。9.一种垂直式存储器的制作方法，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子嵩，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71