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本发明公开一种垂直式存储器及其制作方法，该垂直式存储器包括多个存储单元，沿垂直于基底表面的第一方向依序堆叠，其中各存储单元包括通道层、栅极、存储层、隧穿层、阻挡层及空气间隙层。通道层沿第一方向延伸，而栅极沿着平行于基底表面的第二方向设置于通...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。

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