显示面板及其制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术涉及显示面板技术领域，公开了一种显示面板的制备方法、阵列基板以及显示面板。该制备方法包括：提供一基板；在基板上形成电极；在基板上形成电极保护结构，电极保护结构包覆电极设置。通过上述方式，本发明专利技术能够保护电极，使其不被过度刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、阵列基板
本专利技术涉及显示面板
，特别是涉及一种显示面板的制备方法、阵列基板以及显示面板。
技术介绍
TFT-LCD(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)是在Si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用已成熟的LCD技术，形成一个液晶盒相结合，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器。低温多晶硅技术LTPS(LowTemperaturePoly-silicon)是薄膜晶体管液晶显示器是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构。其能够降低显示屏的能耗，令显示屏显得更薄更轻。而在LTPSTFTLCDin-cell工艺中，即将触摸面板功能嵌入到液晶像素。刻蚀touchline结构所使用的药液会对电极造成侧向侵蚀，对产品品质造成不良影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板的制备方法、阵列基板以及显示面板，能够保护电极，使其不被过度刻蚀。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法，该制备方法包括：提供一基板；在基板上形成电极；在基板上形成电极保护结构，电极保护结构包覆电极设置。在本专利技术的一实施例中，在基板上形成电极保护结构的步骤具体包括：在基板上形成一金属层，金属层覆盖电极以及基板表面；在金属层上对应电极的区域形成一掩膜结构；在金属层上除掩膜结构之外的区域涂布刻蚀药液，以对金属层进行图案化处理，形成电极保护结构。在本专利技术的一实施例中，电极在掩膜结构所处平面上的投影处于掩膜结构内。在本专利技术的一实施例中，金属层的材质为铝，刻蚀药液为对应金属层的铝酸刻蚀药液。在本专利技术的一实施例中，在金属层上对应电极的区域形成一掩膜结构的步骤具体包括：在金属层上涂布光刻胶，形成光刻胶层；在光刻胶层远离金属层的一侧设置一掩膜板，掩膜板包括对应电极的目标掩膜区域，目标掩膜区域的透光率不同于掩膜板上除目标掩膜区域之外的区域；利用掩膜板对光刻胶层进行曝光处理；之后对光刻胶层进行显影处理，以形成掩膜结构。在本专利技术的一实施例中，电极在目标掩膜区域所处平面上的投影处于目标掩膜区域内。在本专利技术的一实施例中，光刻胶为正性光阻材料，目标掩膜区域的透光率小于掩膜板上除目标掩膜区域之外的区域；或光刻胶为负性光阻材料，目标掩膜区域的透光率大于掩膜板上除目标掩膜区域之外的区域。在本专利技术的一实施例中，电极包括第一钛金属层、铝金属层以及第二钛金属层，第一钛金属层、铝金属层以及第二钛金属层沿远离基板的方向依次层叠设置。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括电极以及电极保护结构，电极以及电极保护结构由如上述实施例所阐述显示面板的制备方法制得。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括如上述实施例所阐述的阵列基板。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术提供一种显示面板的制备方法，该制备方法在基板上形成电极，并在电极上形成电极保护结构。电极保护结构包覆电极，起到保护电极的作用。其将电极与刻蚀药液隔离，以避免在刻蚀触控线路的过程中，刻蚀药液在刻蚀完电极周围的触控线路结构之后，过度侵蚀电极。进而改善显示面板的产品品质。附图说明图1是本专利技术平坦层一实施例的结构示意图；图2是本专利技术平坦层另一实施例的结构示意图；图3是本专利技术显示面板的制备方法一实施例的流程示意图；图4是本专利技术显示面板的制备方法另一实施例的流程示意图；图5是本专利技术基板上电极分布一实施例的结构示意图；图6是本专利技术金属层一实施例的结构示意图；图7是本专利技术掩膜结构一实施例的结构示意图；图8是本专利技术掩膜结构的制备方法一实施例的流程示意图；图9是本专利技术光刻胶层一实施例的结构示意图；图10是本专利技术掩膜板一实施例的结构示意图；图11是本专利技术刻蚀药液涂布形式一实施例的结构示意图；图12是本专利技术触控线路以及电极保护结构一实施例的结构示意图；图13是本专利技术电极一实施例的结构示意图；图14是现有技术刻蚀药液侧向侵蚀电极一实施例的结构示意图；图15是本专利技术阵列基板一实施例的结构示意图；图16是本专利技术显示面板一实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在LTPSTFTLCDin-cell工艺中，需要完成玻璃基板上缓冲层、有源层等功能层的制程。其中包括有以多晶硅薄膜结构为基础，完成N型沟道、P型沟道的离子掺杂，形成源极、漏级以及栅极等电极结构。为实现TFT-LCD触摸面板的功能，需要在阵列基板上形成触控线路(touchline)。具体为在形成有电极结构的功能层上形成平坦层(PLN)，部分平坦层接触电极(例如平坦层覆盖电极两端等)，而在集成电路绑定区(ICBanding)内的电极(例如源极)与平坦层不存在接触。由于平坦层11的厚度远大于电极12的结构厚度，若平坦层11距离电极12较近或是平坦层11覆盖电极12两端设置，会使得平坦层11暴露电极12的区域为一狭小且深长的沟道13，不方便集成电路外围接线搭接于集成电路绑定区的电极12上，如图1所示。因此，集成电路绑定区的平坦层21通常距离电极22一定距离，以提供足够的空间用于搭接外围接线，如图2所示。之后，在阵列基板上形成对应电极的触控线路。具体为在整个包括有平坦层的基板表面形成触控线路所使用的金属材料，并涂布对应的刻蚀药液对金属材料进行刻蚀，形成触控线。在金属材料的刻蚀过程中，集成电路绑定区的电极由于其两端未覆盖有平坦层，刻蚀金属材料的刻蚀药液在刻蚀完电极两侧的金属材料之后，会继续侵蚀电极的结构本身，使得电极受损，对阵列基板最终产品的质量造成不良影响。鉴于以上技术问题，本专利技术提出一种显示面板的制备方法，以下进行详细阐述。请参阅图3，图3是本专利技术显示面板的制备方法一实施例的流程示意图。需要说明的是，本实施例所阐述的显示面板的制备方法并不局限于以下步骤：S101：提供一基板；在本实施例中，基板作为阵列基板的各功能层(包括缓冲层、有源层等)的载体，因此在阵列基板的生产制程中首先需要提供一基板，之后在基板上形成各个元器件。基板可以为玻璃基板等，由于应用低温多晶硅技术的薄膜晶体管基板中的多晶硅结构在其整个形成过程中都是在600℃以下完成，一般的玻璃基板皆可适用。S102：在基板上形成电极；在本实施例中，基板上的有源层中需要完成栅极、源极以及漏极等电极结构的制备，以完成薄膜晶体管的制备。因此，本实施例需要在基板上形成电极。S103：在基板上形成电极保护结构，电极保护结构包覆电极设置；在本实施例中，为避免用于刻蚀形成触控线路的刻蚀药液过度刻蚀，致使电极遭受侵蚀。在刻蚀药液的刻蚀过程中，电极周围包覆电极的金属材料(该金属材料用于形成触控线路)没有被刻蚀药液所刻蚀，保留下来形成电极保护结构，所形成的电极保护结构包覆电极设置，使电极与刻蚀药液隔离，以阻挡刻蚀药液侵蚀电极的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一基板；在所述基板上形成电极；在所述基板上形成电极保护结构，所述电极保护结构包覆所述电极设置。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一基板；在所述基板上形成电极；在所述基板上形成电极保护结构，所述电极保护结构包覆所述电极设置。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成电极保护结构的步骤具体包括：在所述基板上形成一金属层，所述金属层覆盖所述电极以及所述基板表面；在所述金属层上对应所述电极的区域形成一掩膜结构；在所述金属层上除所述掩膜结构之外的区域涂布刻蚀药液，以对所述金属层进行图案化处理，形成所述电极保护结构。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述电极在所述掩膜结构所处平面上的投影处于所述掩膜结构内。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质为铝，所述刻蚀药液为对应所述金属层的铝酸刻蚀药液。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金属层上对应所述电极的区域形成一掩膜结构的步骤具体包括：在所述金属层上涂布光刻胶，形成光刻胶层；在所述光刻胶层远离所述金属层的一侧设置一掩膜板，所述掩膜板包括对应所述电极的目标掩膜区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海杰，陈小静，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42