一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种阵列基板、显示面板及显示装置，其中，阵列基板包括层叠设置在基底上的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极其中之一为像素电极，另一为公共电极；所述第二电极包括多个位于所述绝缘层上的条状子电极，相邻两个所述条状子电极之间形成有狭缝，所述条状子电极包括中间部分和两端的拐角结构；所述拐角结构下方的绝缘层的厚度小于所述中间部分下方的绝缘层的厚度。该阵列基板减小了条状子电极的拐角结构对应的第二电极与第一电极的间距，增强该位置的相邻条状子电极的电场的强度，提升该位置的透过率。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
高级超维场转换(AdvancedSuperDimensionSwitch，简称ADS)模式的显示面板具有高透过率、宽视角、响应速度快和功耗低等优点，广泛应用于液晶显示装置中。现有技术的ADS模式的显示面板具有相对设置的狭缝电极和板状电极，在狭缝电极与板状电极之间设置有第一绝缘层和第二绝缘层，其中狭缝电极包括多个横向条状子电极，多个横向条状子电极的两端通过竖向子电极连城一体，为了防止tracemura，横向条状子电极的两端设置有拐角，在ADS模式的显示面板中，液晶分子通常平行于显示面板方向排列，主要通过横向条状子电极间电场进行驱动，但是竖向子电极间差生的电场会抑制液晶分子转动，从而影响该位置的透过率，同时，为了防止条状子电极拐角处液晶驱动时排列不均，拐角处会设置成弧形过渡的拐角，该设计会进减弱拐角位置的横向子电极间的电场强度，进一步降低了该位置的透过率，进而影响像素整体的透过率。
技术实现思路
本技术提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决现有技术中ADS模式显示面板在狭缝电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括层叠设置在基底上的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极其中之一为像素电极，另一为公共电极；所述第二电极包括多个位于所述绝缘层上的条状子电极，相邻两个所述条状子电极之间形成有狭缝，所述条状子电极包括中间部分和两端的拐角结构；所述拐角结构下方的绝缘层的厚度小于所述中间部分下方的绝缘层的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括层叠设置在基底上的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极其中之一为像素电极，另一为公共电极；所述第二电极包括多个位于所述绝缘层上的条状子电极，相邻两个所述条状子电极之间形成有狭缝，所述条状子电极包括中间部分和两端的拐角结构；所述拐角结构下方的绝缘层的厚度小于所述中间部分下方的绝缘层的厚度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括层叠设置的栅绝缘层和钝化层，所述条状子电极位于所述钝化层上，所述拐角结构下方的钝化层的厚度小于所述中间部分下方的钝化层的厚度。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述拐角结构下方的钝化层的厚度为所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗鹏，李哲，李晓吉，范昊翔，朱维，辛兰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11