一种核壳纳米晶及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种核壳纳米晶，包括含镉的量子点核以及包覆所述量子点核的壳层，所述的壳层包括InxZnyS1‑x‑y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。本发明专利技术还公开了一种核壳纳米晶的制备方法，包括：提供含镉的量子点核；于所述量子点核上包覆过渡层及壳层，所述壳层包括InxZnyS1‑x‑y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。本发明专利技术公开的核壳纳米晶制备方法中，通过在Cd系列量子点包覆壳层中生长铟锌硫层，可以显著提高镉系量子点核层的能级匹配度以及壳层晶格常数与带宽的匹配度，让纳米晶结构更加致密，从而提高了纳米晶的量子效率、光学性能及稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种核壳纳米晶及其制备方法
本专利技术涉及纳米材料制备
，具体涉及一种核壳纳米晶及其制备方法。
技术介绍
量子点是一个准零维纳米材料，其尺寸可在1-20nm可调。通过控制量子点尺寸来达到材料的光电性质的改变这些都提升了量子点的应用领域。在近30年的研究中，II-VI族量子点逐步趋向完善，III-V族量子点也有所提高。但在量子点制备中仍然有很多问题有待解决。如光学稳定性差，表面壳层脱落，表面配体脱落，晶格失匹等问题这些都影响了量子点在应用上的发展。为了达到量子点的某些性质，解决量子点发光，稳定性等问题，一般都使用化学法合成核壳量子点，在量子点核外包裹壳层。在引入过渡层、壳层等问题上，首先得达到禁带宽度匹配度高、晶格失配小。核壳间晶格失配小，有利于核壳界面处形成合金化过渡层，减少晶格应力导致的界面缺陷，形成无辐射复合中心；另一方面，核壳之间能带偏差大有利于电子和空穴波函数束缚在核内，远离壳层表面态的无辐射复合中心。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种核壳纳米晶及其制备方法，以克服现有技术中的不足。为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：本专利技术实施例提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种核壳纳米晶，包括含镉的量子点核以及包覆所述量子点核的壳层，其特征在于：所述的壳层包括InxZnyS1‑x‑y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。

【技术特征摘要】
1.一种核壳纳米晶，包括含镉的量子点核以及包覆所述量子点核的壳层，其特征在于：所述的壳层包括InxZnyS1-x-y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。2.根据权利要求1所述的核壳纳米晶，其特征在于：所述量子点核包括CdSe量子点、CdSeS量子点、CdZnSe量子点或CdS量子点。3.根据权利要求1所述的核壳纳米晶，其特征在于：所述的量子点核上依次包覆有过渡层和壳层；优选的，所述过渡层包括CdS过渡层；优选的，所述过渡层的厚度为1～10nm。4.根据权利要求1所述的核壳纳米晶，其特征在于：所述壳层包括依次包覆在量子点核上的ZnS壳层及InxZnyS1-x-y壳层；和/或，所述核的尺寸为1～8nm；和/或，所述壳层的厚度为1～10nm。5.一种核壳纳米晶的制备方法，其特征在于包括：提供含镉的量子点核；于所述量子点核上包覆过渡层及壳层，所述壳层包括InxZnyS1-x-y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供包含量子点核的第一液相反应体系；(2)将所述第一液相反应体系的温度调节至第一温度，加入镉源与硫源，反应形成第二液相反应体系，所述第二液相反应体系包含表面包覆有过渡层的含镉类量子点；(3)将所述第二液相反应体系的温度调节至第二温度，加入锌源与硫源，反应形成第三液相反应体系，所述第三液相反应体系包含表面依次包覆有过渡层及ZnS壳层的含镉类量子点；(4)将所述第三液相反应体系的温度调节至第三温度，加入铟源，硫源及锌源，反应形成核壳结构纳米晶，所述核壳结构纳米晶包括作为核的含镉类量子点及依次包覆于核上的过渡层、ZnS壳层及InxZnyS1-x-y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述作为核的含镉类量子点包括CdSe量子点、CdSeS量子点、CdZnSe量子点或CdS量子点；和/或，所述作为核的含镉类量子点的制备方法包括以下步骤：使包含第一金属源、第二金属源及溶剂的混合反应体系于100～150℃混合，形成第一前驱体；以及将所获第一前驱体升温至150～250℃，加入硒源，反应1～60min，形成作为核的含镉类量子点；优选的，所述第一金属源包括镉源，所述第二金属源包括锌源。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述混合反应体系中镉源与锌源的摩尔比为0.01∶1～1∶0.01，优选为0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，李霞，张孟，
申请(专利权)人：嘉兴纳鼎光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33