一种检测基板、检测装置以及检测设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种检测基板、检测装置以及检测设备，涉及工艺监控技术领域。其中，检测基板包括薄膜晶体管、正极线、正电极、负极线和负电极；薄膜晶体管包括栅极、第一极及第二极；正极线与薄膜晶体管的第一极连接；正电极与薄膜晶体管的第二极连接；负电极与负极线连接。在本发明专利技术实施例中，在将检测基板置于可电离的反应溶液或气体中时，正电极和负电极与反应溶液或气体接触，薄膜晶体管导通时，可以向正极线输入电流，从而电流可以通过反应溶液或气体，最终从负极线输出。通过检测加工过程中负极线输出的电流大小，可以确定加工过程中的反应速率，从而能够对反应速率进行调整，避免因加工工艺造成器件不良，进而能够节约加工资源。

【技术实现步骤摘要】
一种检测基板、检测装置以及检测设备
本专利技术涉及工艺监控
，特别是涉及一种检测基板、检测装置以及检测设备。
技术介绍
在刻蚀、磁控溅射、化学气相沉积等工艺中，气体或溶液的反应速率对于器件良率有着十分重要的意义。例如在湿法刻蚀工艺制备显示面板的过程中，刻蚀液与材料层不同区域的反应速率不同时，将降低显示面板的均一性，从而造成显示面板的显示不良。由此可见，在加工工艺中，合理控制气体或溶液的反应速率，能够有效提高器件良率。在实际应用中，通常可以在通过刻蚀、磁控溅射、化学气相沉积等工艺加工得到器件之后，对器件进行性能测试，从而确定器件性能是否合格。然而，在器件制造完成之后再进行性能测试，一方面无法准确定位不良问题的原因，另一方面，在反应速率导致器件不良时，也无法及时对反应速率进行调整，从而将浪费大量的加工资源。
技术实现思路
本专利技术提供一种检测基板、检测装置以及检测设备，以解决现有的刻蚀、磁控溅射、化学气相沉积等工艺中，无法实时调整反应速率，从而无法避免器件因加工工艺而导致不良的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种检测基板，所述检测基板包括各个检测单元，所述检测单元包括：薄膜晶体管，包括栅极、第一极及第二极；正极线，所述正极线与所述薄膜晶体管的第一极连接；正电极，所述正电极与所述薄膜晶体管的第二极连接；负极线；负电极，所述负电极与所述负极线连接。可选地，所述正极线、所述负极线、所述薄膜晶体管的第一极以及第二极同层设置。可选地，至少所述正极线、所述负极线、所述薄膜晶体管的第一极和第二极上覆盖有钝化层，所述正电极和所述负电极均形成在所述钝化层上，且所述正电极通过所述钝化层上的过孔与所述薄膜晶体管的第二极连接，所述负电极通过所述钝化层上的过孔与所述负极线连接。可选地，所述正电极的厚度大于等于0.03微米，且小于等于1微米。可选地，所述负电极的厚度大于等于0.03微米，且小于等于1微米。可选地，所述正电极或所述负电极的材料为银、铂、金或石墨。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种检测装置，包括上述检测基板，以及控制模块；所述控制模块分别与所述薄膜晶体管的栅极、所述正极线和所述负极线连接，用于驱动所述栅极、向所述正极线输入电流，以及采集所述负极线输出的电流。可选地，所述检测基板包括各个预设区域内的检测单元，每个所述预设区域内的检测单元阵列排布；同一预设区域内同一列检测单元的正极线共用或互联，同一预设区域内同一列检测单元的负极线共用或互联，同一行检测单元的薄膜晶体管栅极通过栅线依次连接；所述预设区域对应的控制模块与所述预设区域中各行检测单元的栅线，以及各列检测单元的正极线、负极线连接。可选地，所述控制模块包括：栅极驱动单元，所述栅极驱动单元与对应预设区域中各行检测单元的栅线连接，用于驱动对应预设区域中各行检测单元的薄膜晶体管栅极；电流输入单元，所述电流输入单元与对应预设区域中各列检测单元的正极线连接，用于向对应预设区域中各列检测单元的正极线输入电流；电流采集单元，所述电流采集单元与对应预设区域中各列检测单元的负极线连接，用于采集对应预设区域中各列检测单元的负极线输出的电流；数据传输单元，所述数据传输单元与外部的数据处理设备连接，用于将采集的电流传输至所述数据处理设备；电源，分别与所述栅极驱动单元、所述电流输入单元、所述电流采集单元和所述数据传输单元连接，用于为所述栅极驱动单元、所述电流输入单元、所述电流采集单元和所述数据传输单元供电。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种检测设备，包括上述检测装置。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：在本专利技术实施例中，检测基板中的每个检测单元包括薄膜晶体管、正极线、正电极、负极线和负电极，其中，正极线与薄膜晶体管的第一极连接，正电极与薄膜晶体管的第二极连接，负电极与负极线连接。在将检测基板置于可电离的反应溶液或气体中时，正电极和负电极与反应溶液或气体接触，薄膜晶体管导通时，可以向正极线输入电流，从而电流可以通过与正负电极接触的反应溶液或气体，最终从负极线输出。通过检测加工过程中负极线输出的电流大小，可以确定加工过程中的反应速率，从而能够对反应速率进行调整，避免因加工工艺造成器件不良，进而能够节约加工资源。附图说明图1示出了本专利技术实施例一的一种检测单元的截面示意图；图2示出了本专利技术实施例一的一种检测单元的俯视图；图3示出了本专利技术实施例二的一种检测装置的示意图；图4示出了本专利技术实施例二的一种控制模块的结构框图；图5示出了本专利技术实施例二的一种通过检测装置检测刻蚀液导电性能的示意图。附图标记说明：10-薄膜晶体管，衬底101，栅极102，绝缘层103，有源层104，阻挡层105，第一极106，第二极107，正极线20，负极线30，正电极40，负电极50，钝化层60，70-栅线，01-检测基板，02-控制模块，021-栅极驱动单元，022-电流输入单元，023-电流采集单元，024-数据传输单元，025-电源，100-固定装置，200-刻蚀液供给装置，300-支撑装置，400-喷淋嘴，500-刻蚀液，600-检测装置，700-传输滚轮。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一本专利技术实施例一提供了一种检测基板，该检测基板包括各个检测单元，每个检测单元包括薄膜晶体管、正极线、正电极、负极线和负电极，其中，薄膜晶体管包括栅极、第一极及第二极，正极线与薄膜晶体管的第一极连接，正电极与薄膜晶体管的第二极连接，负电极与负极线连接。图1示出了本专利技术实施例一的一种检测单元的截面示意图，参照图1，薄膜晶体管可以为底栅结构中的刻蚀阻挡结构，相应的，薄膜晶体管具体可以包括衬底101、形成在衬底101上的栅极102、覆盖栅极102的绝缘层103、形成在绝缘层103上的有源层104、覆盖有源层104的阻挡层105，以及同层设置在阻挡层105上的第一极106和第二极107，其中，第一极106和第二极107均可以通过阻挡层105上的过孔分别与有源层104连接。在实际应用中，第一极106可以为源极，第二极107可以为漏极。参照图1，正极线20、负极线30、薄膜晶体管的第一极106以及第二极107可以同层设置。由于在实际应用中，正极线20、负极线30、薄膜晶体管的第一极106以及第二极107均可以采用同一种材料，因此，正极线20、负极线30、第一极106和第二极107可以通过一次构图工艺同层形成，从而可以减少检测基板的制备步骤，提高制备效率。当然，在实际应用中，正极线20或负极线30也可以与第一极106和第二极107不同层设置。例如可以先通过第一次构图工艺同层形成第一极106、第二极107和负极线30之后，再通过第二次构图工艺形成正极线20，且正极线20在衬底101上的正投影部分覆盖第一极106在衬底101上的正投影，从而也可以实现正极线20与第一极106的连接。再例如，负极线30还可以与有源层104同层设置，而正极线20、第一极106和第二极107可以同层设置。本专利技术实施例对于正极线20、负极线30、第一极106以及第二极107是否同层设置不作具体限定，只要保证正极线与薄膜晶体管的第一极连接，以及负极线与薄膜晶体管的第二极连接即可。进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测基板，其特征在于，所述检测基板包括各个检测单元，所述检测单元包括；薄膜晶体管，包括栅极、第一极及第二极；正极线，所述正极线与所述薄膜晶体管的第一极连接；正电极，所述正电极与所述薄膜晶体管的第二极连接；负极线；负电极，所述负电极与所述负极线连接。

【技术特征摘要】
1.一种检测基板，其特征在于，所述检测基板包括各个检测单元，所述检测单元包括；薄膜晶体管，包括栅极、第一极及第二极；正极线，所述正极线与所述薄膜晶体管的第一极连接；正电极，所述正电极与所述薄膜晶体管的第二极连接；负极线；负电极，所述负电极与所述负极线连接。2.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述正极线、所述负极线、所述薄膜晶体管的第一极以及第二极同层设置。3.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，至少所述正极线、所述负极线、所述薄膜晶体管的第一极和第二极上覆盖有钝化层，所述正电极和所述负电极均形成在所述钝化层上，且所述正电极通过所述钝化层上的过孔与所述薄膜晶体管的第二极连接，所述负电极通过所述钝化层上的过孔与所述负极线连接。4.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述正电极的厚度大于等于0.03微米，且小于等于1微米。5.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述负电极的厚度大于等于0.03微米，且小于等于1微米。6.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述正电极或所述负电极的材料为银、铂、金或石墨。7.一种检测装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的检测基板，以及控制模块；所述控制模块分别与所述薄膜晶体管的栅极、所述正极线和所述负极线连接，用于驱动所述栅极、向所述正极线输入电流，以及采集所述负极线...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迎宾，赵策，王明，李伟，宋威，丁远奎，丁录科，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11