【技术实现步骤摘要】
集成电路存储器、半导体集成电路器件
本技术涉及半导体集成电路
，特别涉及一种集成电路存储器，以及一种半导体集成电路器件。
技术介绍
半导体集成电路器件越做越小，使其更加小巧以适合移动计算运用，且能消耗更少能量，让充电间的电池使用时间得以延长。以及，随着半导体器件尺寸的减小亦可相应的提高电路密集度，从而使半导体器件可具有更强大的计算能力。然而，现今的技术发展一直受到当时可取得的微影设备的解析度的限制。具体的说，半导体集成电路器件的尺寸，例如线宽CD(CriticalDimension)和线距S(spaces)的最小尺寸取决于微影设备的解析能力，因此，在微影设备可获得的最小特征尺寸的限制下，小于最小特征尺寸的图形无法稳定地获得。这将限制半导体器件尺寸的进一步缩减，并无法再次提高半导体器件中单元元件的排布密集度。针对集成电路存储器(例如，动态随机存储器DRAM)而言，其内部阵列区中存储单元包括存储晶体管和与之连接的存储元件。所述存储晶体管的源区、沟道区和漏区沿着平行于衬底表面的方向水平分布，在所述存储单元的存储晶体管正常导通的情况下，其沟道电流总体上沿着水平方向在...
【技术保护点】
1.一种集成电路存储器，其特征在于，包括：一衬底；多条位线，形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸；多个有源柱体，形成在所述位线上，以使所述有源柱体的底端部连接至所述位线，并且所述有源柱体的所述底端部的截面尺寸小于所述有源柱体的顶端部的截面尺寸，以使所述底端部相对于所述顶端部凹陷；以及，多条字线，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述字线在其延伸方向上一体连接并配置有多个直立的栅极管，所述栅极管环绕相应的有源柱体的外侧壁并填充所述有源柱体的所述底端部的凹陷区域，以增加所述栅极管环绕于相应的有源柱体的所述底端部的厚度，并由所述有源柱体和所述字线中环绕所述有源柱体侧壁的所述栅极管...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路存储器，其特征在于，包括：一衬底；多条位线，形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸；多个有源柱体，形成在所述位线上，以使所述有源柱体的底端部连接至所述位线，并且所述有源柱体的所述底端部的截面尺寸小于所述有源柱体的顶端部的截面尺寸，以使所述底端部相对于所述顶端部凹陷；以及，多条字线，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述字线在其延伸方向上一体连接并配置有多个直立的栅极管，所述栅极管环绕相应的有源柱体的外侧壁并填充所述有源柱体的所述底端部的凹陷区域，以增加所述栅极管环绕于相应的有源柱体的所述底端部的厚度，并由所述有源柱体和所述字线中环绕所述有源柱体侧壁的所述栅极管共同构成所述集成电路存储器的立式存储晶体管。2.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述栅极管中环绕所述有源柱体底端部的厚度大于所述栅极管中环绕所述有源柱体顶端部的厚度。3.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述有源柱体在垂直于高度方向上的截面尺寸从所述顶端部至所述底端部逐渐减小而使所述有源柱体的形状包括锥形柱体。4.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述有源柱体具有相对于高度方向倾斜的倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述位线表面具有第一夹角，所述第一夹角为锐角。5.如权利要求4所述的集成电路存储器，其特征在于，所述栅极管具有外栅极侧壁，所述外栅极侧壁与所述字线在所述衬底上沿着第二方向延伸的上表面之间具有第三夹角，所述第三夹角大于所述第一夹角。6.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述有源柱体的所述顶端部的最大宽度尺寸界于60nm～30nm，所述有源柱体的所述底端部的最大宽度尺寸界于40nm～10nm。7.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述立式存储晶体管在所述衬底上的单元配置尺寸大于等于最小特征尺寸的平方的4倍。8.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述集成电路存储器还包括：多个存储元件，形成在所述立式存储晶体管的上方，并与所述有源柱体的所述顶端部电性连接。9.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述有源柱体的所述底端部中形成有第一掺杂区，连接于所述位线上，所述有源柱体的所述顶端部中形成有第二掺杂区，用以连接存储元件，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别构成...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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