半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法技术

一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，该半导体晶片表面保护用胶带在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用，其中，上述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，上述中间树脂层的厚度为上述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/min～100g/min。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法
本专利技术涉及半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法。
技术介绍
半导体封装件如下进行制造：在将高纯度硅单晶等切片而制成半导体晶片后，通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面形成集成电路，由此制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，而使半导体晶片加工成所期望的厚度。此时，为了保护形成在半导体晶片表面的集成电路，使用半导体晶片表面保护用胶带(下文中也简称为“表面保护带”)。经背面磨削的半导体晶片在背面磨削结束后收纳在晶片盒中，搬运至切割工序，加工成半导体芯片。以往，需要通过背面磨削等使半导体晶片的厚度为200μm～400μm左右。但是，随着近年来高密度安装技术的进步，需要使半导体芯片小型化，与之相伴，半导体晶片的薄膜化不断发展。根据半导体芯片的种类的不同，需要使半导体晶片薄至100μm左右。另一方面，为了增加可通过一次性加工所制造的半导体芯片的数量，倾向于使原本的半导体晶片直径变大。此前直径为5英寸或6英寸的半导体晶片为主流，与此相对，近年来将直径8英寸～12英寸的半导体晶片加工成半导体芯片成为了主流。半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，所述中间树脂层的厚度为所述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/min～100g/min。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.31 JP 2017-0713461.一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，所述中间树脂层的厚度为所述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/min～100g/min。2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，紫外线照射后的所述粘合剂层的对于23℃的SUS280研磨面的粘合力为0.5N/25mm以上5.0N/25mm以下，并且对于50℃的SUS280研磨面的粘合力为0.3N/25mm以上7.0N/25mm以下。3.如权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述基材膜的厚度与所述中间树脂层的厚度之比为基材膜的厚度:中间树脂层的厚度＝0.5:9.5～7:3。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，构成所...

【专利技术属性】
技术研发人员：五岛裕介，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP