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一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，该半导体晶片表面保护用胶带在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用，其中，上述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该...
该专利属于古河电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过古河电气工业株式会社授权不得商用。

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