磁传感器装置制造方法及图纸

在磁传感器装置中，利用磁化磁体(1)对传送面(P)上所传送的片状的被检测物(4)进行磁化，该磁化磁体形成磁通中心的磁力方向与传送面(P)相交的磁化磁场(11)，在传送面(P)上的磁化磁场(11)中，与传送面(P)平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上。磁传感器装置具有：偏置磁体(2)，其形成磁通中心的磁力方向与被磁化磁体(1)磁化且被传送的被检测物(4)的平面相交的偏置磁场(21)，且在被检测物(4)的平面上的偏置磁场(21)中使与被检测物(4)的平面平行的磁场分量的大小大于第一矫顽力且小于第二矫顽力；及磁阻效应元件芯片(9)，其与偏置磁体(2)的被检测物(4)的平面相对地配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器装置
本专利技术涉及对包含于片状被检测物且具有不同矫顽力的2种磁性体进行识别的磁传感器装置。
技术介绍
近年来，作为防止纸币或有价证券的伪造的对策，发行了采用具有不同矫顽力的2种以上的磁墨水或磁性体的纸币或有价证券。因此，要求对矫顽力不同的磁性体进行识别的磁传感器装置。例如专利文献1中记载了对矫顽力不同的多种磁性体进行判别的磁性质判别装置。专利文献1的磁性质判别装置由磁化单元和磁检测单元构成，该磁化单元产生磁场强度及磁场方向不同的传送路径上的包含第一磁场区域及第二磁场区域在内的磁化磁场，并根据磁性体的矫顽力使磁性体在不同的磁化方向上磁化，该磁检测单元在传送方向下游侧利用磁化单元在传送路径上产生偏置磁场，并通过检测出偏置磁场的变化来检测磁性体的磁量。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2015－201083号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题专利文献1的磁性质判别装置中，需要构成为形成磁场强度和磁场方向根据区域而不同的磁化磁场，以使得剩余磁化的方向根据矫顽力的不同而不同。另外，需要正确地设定偏置磁场相对于被磁化磁场所磁化且被传送的纸张类的面的磁力方向的强度和斜率、以及磁传感器相对于偏置磁场的位置及斜率。因此，存在磁传感器装置的结构变得非常复杂这一问题。本专利技术正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，简化用于对具有不同矫顽力的2种磁性体进行识别的磁化磁场及偏置磁场的强度和配置、以及配置磁传感器的结构。解决技术问题所采用的技术方案本专利技术所涉及的磁传感器装置中，利用磁化磁体，对传送面上所传送的片状的被检测物进行磁化，从而对该被磁化的被检测物进行检测，该磁化磁体形成磁通中心的磁力方向与传送面相交的磁化磁场，在传送面上的磁化磁场中，与传送面平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上，该磁传感器装置具有：偏置磁体，该偏置磁体形成磁通中心的磁力方向与被磁化磁体磁化且被传送的被检测物的平面相交的偏置磁场，且在被检测物的平面上的偏置磁场中，使与被检测物的平面平行的磁场分量的大小大于第一矫顽力且小于第二矫顽力；以及磁阻效应元件，该磁阻效应元件与偏置磁体的被检测物的平面相对地配置。专利技术效果根据本专利技术，在传送面上的磁化磁场的中心，使与传送面平行的磁场分量的大小在第二磁性体的饱和磁场以上，在传送面上的偏置磁场的中心，使与传送面平行的磁场分量的大小大于第一矫顽力且小于第二矫顽力即可，此外，由于磁阻效应元件配置于与偏置磁体的传送面相对的面，因此，能够简化磁化磁场及偏置磁场的强度和配置、以及配置磁传感器的结构。附图说明图1是本专利技术实施方式1所涉及的磁传感器装置的结构图。图2是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中施加于磁阻效应元件的偏置磁场的磁力线矢量的图。图3是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中通过了磁化磁场时包含于被检测物的磁性体的磁化状态的图。图4A是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在包含于被检测物的磁性体的矫顽力小于偏置磁场的强度的情况下磁性体进入偏置磁场时磁性体的磁化状态的图。图4B是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力小于偏置磁场的强度的情况下磁性体位于偏置磁场的中央时磁性体的磁化状态的图。图4C是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力小于偏置磁场的强度的情况下磁性体离开偏置磁场时磁性体的磁化状态的图。图5A是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在包含于被检测物的磁性体的矫顽力小于偏置磁场的强度的情况下磁性体进入偏置磁场时施加于磁阻效应元件的磁场的图。图5B是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力小于偏置磁场的强度的情况下磁性体位于偏置磁场的中央时施加于磁阻效应元件的磁场的图。图5C是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力小于偏置磁场的强度的情况下磁性体离开偏置磁场时施加于磁阻效应元件的磁场的图。图6是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在包含于被检测物的磁性体的矫顽力小于偏置磁场的强度的情况下磁传感器的输出波形的示例的图。图7A是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在包含于被检测物的磁性体的矫顽力大于偏置磁场的强度的情况下磁性体进入偏置磁场时磁性体的磁化状态的图。图7B是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力大于偏置磁场的强度的情况下磁性体位于偏置磁场的中央时磁性体的磁化状态的图。图7C是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力大于偏置磁场的强度的情况下磁性体离开偏置磁场时磁性体的磁化状态的图。图8A是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在包含于被检测物的磁性体的矫顽力大于偏置磁场的强度的情况下磁性体进入偏置磁场时施加于磁阻效应元件的偏置磁场的图。图8B是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力大于偏置磁场的强度的情况下磁性体经过磁阻效应元件的正上方时施加于磁阻效应元件的磁场的图。图8C是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在磁性体的矫顽力大于偏置磁场的强度的情况下磁性体离开偏置磁场时施加于磁阻效应元件的磁场的图。图9是表示实施方式1所涉及的磁传感器装置中，在包含于被检测物的磁性体的矫顽力大于偏置磁场的强度的情况下磁传感器的输出波形的示例的图。图10是本专利技术实施方式2所涉及的磁传感器装置的结构图。图11是本专利技术实施方式3所涉及的磁传感器装置的结构图。图12是本专利技术实施方式4所涉及的磁传感器装置的结构图。图13是本专利技术实施方式5所涉及的磁传感器装置的结构图。图14是本专利技术实施方式6所涉及的磁传感器装置的结构图。图15是本专利技术实施方式7所涉及的磁传感器装置的结构图。图16是本专利技术实施方式8所涉及的磁传感器装置的结构图。具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，对图中相同或相当的部分标注相同的标号。另外，在本专利技术的所有实施方式中，将被检测物的传送方向即矫顽力识别磁传感器装置的短边方向(副扫描方向)定义为X方向，将与被检测物的传送方向垂直的矫顽力识别磁传感器装置的长边方向(主扫描方向)定义为Y方向，将与矫顽力识别磁传感器装置的短边方向(传送方向/副扫描方向)及长边方向(主扫描方向)垂直的方向(与传送方向垂直的方向)定义为Z方向。实施方式1.图1是本专利技术实施方式1所涉及的磁传感器装置的结构图。图1是与主扫描方向垂直的剖视图。磁传感器装置在壳体100内部具有磁化磁体1、偏置磁体2及磁阻效应元件芯片9。此外，在壳体100的传送面一侧具有屏蔽罩101。磁传感器装置面向传送包含磁性体6在内的片状的被检测物4的传送面P，并配置有磁化磁体1及偏置磁体2。沿着传送方向5的方向在传送面P上传送被检测物4。磁化磁体1在与传送面P垂直的方向上具有相互不同的磁极，形成磁通中心的磁力方向与传送面P相交的磁化磁场11。偏置磁体2在与传送面P垂直的方向上具有相互不同的磁极，形成磁通中心的磁力方向与传送面P相交的偏置磁场21。偏置磁体2与磁化磁体1相比，配置于传送方向5的更下游。实施方式1中，磁化磁场11及偏置磁场21的磁通中心的磁力方向与传送面P垂直。磁化磁体1利用磁化磁场11对包含于被检测物4的磁性体6进行磁化，以使其完成磁化。偏置磁体2利用偏置磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器装置，该磁传感器装置中，利用磁化磁体对传送面上所传送的片状的被检测物进行磁化，从而对被磁化的所述被检测物进行检测，该磁化磁体在所述传送面上形成磁化磁场，在所述传送面上所述磁化磁场的与所述传送面平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上，该磁传感器装置的特征在于，包括：偏置磁体，该偏置磁体形成磁通中心的磁力方向与被所述磁化磁体磁化且沿着所述传送面被传送的所述被检测物的平面相交的偏置磁场，且在所述被检测物的平面上的所述偏置磁场中，使与所述被检测物的平面平行的磁场分量的大小大于所述第一矫顽力且小于所述第二矫顽力；以及磁阻效应元件，该磁阻效应元件与所述偏置磁体的所述被检测物的平面相对地配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.06 JP 2016-0930211.一种磁传感器装置，该磁传感器装置中，利用磁化磁体对传送面上所传送的片状的被检测物进行磁化，从而对被磁化的所述被检测物进行检测，该磁化磁体在所述传送面上形成磁化磁场，在所述传送面上所述磁化磁场的与所述传送面平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上，该磁传感器装置的特征在于，包括：偏置磁体，该偏置磁体形成磁通中心的磁力方向与被所述磁化磁体磁化且沿着所述传送面被传送的所述被检测物的平面相交的偏置磁场，且在所述被检测物的平面上的所述偏置磁场中，使与所述被检测物的平面平行的磁场分量的大小大于所述第一矫顽力且小于所述第二矫顽力；以及磁阻效应元件，该磁阻效应元件与所述偏置磁体的所述被检测物的平面相对地配置。2.如权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，包括：中心磁体，该中心磁体配置于所述传送面的一侧，在传送所述被检测物的传送方向上具有互不相同的磁极；第一磁轭，该第一磁轭配置于所述中心磁体的所述传送方向的上游侧，构成所述磁化磁体；以及第二磁轭，该第二磁轭配置于所述中心磁体的所述传送方向的下游侧，构成所述偏置磁体。3.如权利要求2所述的磁传感器装置，其特征在于，从所述第一磁轭的与所述传送面相对的面到所述传送面的距离小于从所述第二磁轭的与所述传送面相对的面到所述传送面的距离。4.如权利要求2或3所述的磁传感器装置，其特征在于，所述第二磁轭的与所述传送面相对的面在所述传送方向上的长度大于所述第一磁轭的与所述传送面相对的面在所述传送方向上的长度。5.如权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述磁化磁体包含：磁化用磁体，该磁化用磁体在与所述传送面垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾込智和，下畑贤司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP