一种减小异质膜组件封损的工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种异质膜太阳能电池片抗组件封损的制作方法，能够使太阳电池减反射膜折射率稳定降低至1.65‑2.05，并保证PECVD镀膜后外观颜色均匀，可以与热氧化抗PID工艺效果妥善叠加，通过抗衰减工艺，使异质膜电池组件后功率损失降低至接近普通氮化硅膜电池的水准。

【技术实现步骤摘要】
一种减小异质膜组件封损的工艺
本专利技术属于晶硅太阳能电池制造领域，涉及一种减反射膜抗组件封损的晶硅太阳能电池的制作方法。
技术介绍
太阳能电池片是一种可以把太阳能转换为电能的产品，太阳能电池片制造中，为了减少太阳光的反射，通常采取的方法是在晶硅表面镀减反射膜。通过PECVD（等离子化学气相沉积法）技术在晶硅表面沉积多层不同折射率的减反射膜，能够很好的减少太阳光在电池片表面的反射，降低反射率从而提高转换太阳光能的效率。但是沉积常规的氮化硅膜，由于折射率通常在2.0以上，对太阳光入射时的损失较大，所以如何降低太阳能电池减反射膜的折射率，成为提升电池转换效率的一种有效方法。但是，仅仅通过调整PECVD时反应气体的比例，来得到低折射率的氮化硅膜，通常在外观和效率上不理想。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种异质膜太阳能电池片抗组件封损的制作方法，能够使太阳电池减反射膜折射率稳定降低至1.65-2.05，并保证PECVD镀膜后外观颜色均匀，可以与热氧化抗PID工艺效果妥善叠加，通过抗衰减工艺，使异质膜电池组件后功率损失降低至接近普通氮化硅膜电池的水准。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种减小异质膜组件封损的工艺，所述工艺包括以下步骤：刻蚀二次清洗后的产品，送入高温炉以550-900℃温度下，通以500-9000sccm的氧气和氮气，在低压或近常压的条件下氧化20-90分钟，完成后立即进行PECVD镀膜。作为优选，热氧化后，PECVD先镀一层30-80nm的高折射率氮化硅膜，然后通入1500-9000sccm的笑气镀一层异质膜，使总膜厚在75-100nm、折射率在2.05以内。作为优选，调节印刷后烧结温度使之效果达到最佳，再通以5-20A的电流，在100-350℃的环境温度下，进行注入30-120分钟。作为优选，所述工艺的具体步骤为：（1）将刻蚀二次清洗后的产品，送入550-900℃的高温炉内，进行抽真空操作至压力200mtorr以下；（2）通入500-9000sccm氧气，使压力稳定在200mtorr，时间持续20-90min对硅片进行氧化；（3）将压力恢复常压，降温取片，完成热氧化抗PID工艺过程；（4）将热氧化后的硅片送入一真空腔体中进行加热并抽真空至60mtorr以下；（5）同时通入硅烷与氨气，流量比例1000sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电180s，在硅片表面镀上一层膜厚30nm，折射率大于2.2的氮化硅膜；（6）在步骤（5）基础上再次通入硅烷与氨气，流量比例500sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电200s，在第一层氮化硅膜上镀一层膜厚35nm，折射率2.0左右的氮化硅膜；（7）对炉管进行抽真空至60mtorr以下，持续时间60s；（8）同时通入硅烷、氨气、笑气，流量比例800sccm：1400sccm：5000sccm，使压力稳定在1700mtorr，保持温度在450℃，放电160s；在第二层氮化硅膜上镀一层膜厚25nm，折射率1.7左右的氮氧化硅异质膜；（9）通氮气使压力恢复常压，降温取片，完成PECVD镀膜过程；最终形成的氮化硅膜和异质膜总膜厚达到90nm，折射率在1.9，片间均匀性±4%，批间均匀性±4%；（10）将PECVD镀膜后产品进行丝网印刷后烧结，再通以5-20A的电流，在100-350℃的环境温度下，进行电注入操作30-120min。本专利技术利用管式PECVD制作异质膜，其片内均匀性不易控制、折射率波动大；扩散工序与异质膜工艺的影响，异质膜制作工艺会对热氧化效果具有不稳定效应，使电池效率提升幅度变小；多晶硅电池的缺陷，使异质膜电池组件后功率损失大于氮化硅膜电池，如何减小异质膜电池组件CTM，成为异质膜电池工艺的首要难题。本专利技术的有益效果是：本专利技术能够使太阳电池减反射膜折射率稳定降低至1.65-2.05，并保证PECVD镀膜后外观颜色均匀，可以与热氧化抗PID工艺效果妥善叠加，通过抗衰减工艺，使异质膜电池组件后功率损失降低至接近普通氮化硅膜电池的水准。具体实施方式以下结合具体实施例，对本专利技术作进一步的解释：实施例1一种减小异质膜组件封损的工艺，所述工艺的具体步骤为：（1）将刻蚀二次清洗后的产品，送入700℃的高温炉内，进行抽真空操作至压力200mtorr以下；（2）通入1000sccm氧气，使压力稳定在200mtorr，时间持续30min对硅片进行氧化；（3）将压力恢复常压，降温取片，完成热氧化抗PID工艺过程；（4）将热氧化后的硅片送入一真空腔体中进行加热并抽真空至60mtorr以下；（5）同时通入硅烷与氨气，流量比例1000sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电180s，在硅片表面镀上一层膜厚30nm，折射率大于2.2的氮化硅膜；（6）在步骤（5）基础上再次通入硅烷与氨气，流量比例500sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电200s，在第一层氮化硅膜上镀一层膜厚35nm，折射率2.0左右的氮化硅膜；（7）对炉管进行抽真空至60mtorr以下，持续时间60s；（8）同时通入硅烷、氨气、笑气，流量比例800sccm：1400sccm：5000sccm，使压力稳定在1700mtorr，保持温度在450℃，放电160s；在第二层氮化硅膜上镀一层膜厚25nm，折射率1.7左右的氮氧化硅异质膜；（9）通氮气使压力恢复常压，降温取片，完成PECVD镀膜过程；最终形成的氮化硅膜和异质膜总膜厚达到90nm，折射率在1.65，片间均匀性±4%，批间均匀性±4%；（10）将PECVD镀膜后产品进行丝网印刷后烧结，再通以6A的电流，在290℃的环境温度下，进行电注入操作70min。实施例2一种减小异质膜组件封损的工艺，所述工艺的具体步骤为：（1）将刻蚀二次清洗后的产品，送入550℃的高温炉内，进行抽真空操作至压力200mtorr以下；（2）通入500sccm氧气，使压力稳定在200mtorr，时间持续20min对硅片进行氧化；（3）将压力恢复常压，降温取片，完成热氧化抗PID工艺过程；（4）将热氧化后的硅片送入一真空腔体中进行加热并抽真空至60mtorr以下；（5）同时通入硅烷与氨气，流量比例1000sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电180s，在硅片表面镀上一层膜厚30nm，折射率大于2.2的氮化硅膜；（6）在步骤（5）基础上再次通入硅烷与氨气，流量比例500sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电200s，在第一层氮化硅膜上镀一层膜厚35nm，折射率2.0左右的氮化硅膜；（7）对炉管进行抽真空至60mtorr以下，持续时间60s；（8）同时通入硅烷、氨气、笑气，流量比例800sccm：1400sccm：5000sccm，使压力稳定在1700mtorr，保持温度在450℃，放电160s；在第二层氮化硅膜上镀一层膜厚25nm，折射率1.7左右的氮氧化硅异质膜；（9）通氮气使压力恢复常压，降温取片，完成PEC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：刻蚀二次清洗后的产品，送入高温炉以550‑900℃温度下，通以500‑9000sccm的氧气和氮气，在低压或近常压的条件下氧化20‑90分钟，完成后立即进行PECVD镀膜。

【技术特征摘要】
1.一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：刻蚀二次清洗后的产品，送入高温炉以550-900℃温度下，通以500-9000sccm的氧气和氮气，在低压或近常压的条件下氧化20-90分钟，完成后立即进行PECVD镀膜。2.根据权利要求1所述的一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，热氧化后，PECVD先镀一层30-80nm的高折射率氮化硅膜，然后通入1500-9000sccm的笑气镀一层异质膜，使总膜厚在75-100nm、折射率在2.05以内。3.根据权利要求1所述的一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，调节印刷后烧结温度使之效果达到最佳，再通以5-20A的电流，在100-350℃的环境温度下，进行注入30-120分钟。4.根据权利要求1所述的一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，所述工艺的具体步骤为：（1）将刻蚀二次清洗后的产品，送入550-900℃的高温炉内，进行抽真空操作至压力200mtorr以下；（2）通入500-9000sccm氧气，使压力稳定在200mtorr，时间持续20-90min对硅片进行氧化；（3）将压力恢复常压，降温取片，完成热氧化抗PID工艺过程；（4）将热氧化后的硅片送入一真...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾松燕，任永伟，郭望东，钱异军，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33