【技术实现步骤摘要】
一种槽栅超结器件
本专利技术涉及功率半导体技术，特别涉及一种槽栅超结器件。
技术介绍
功率MOSFET因其开关速度快、损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、频率特性好等优点，在功率变换领域起到重要作用。不断提高的系统性能要求功率MOSFET在具有更低功率损耗的同时，在高电应力下也应具有更高的可靠性。当系统回路中存在非箝位电感负载时，导通状态下存储在电感中的能量会在关断时全部由MOSFET释放，高电压和大电流将同时施加在功率MOSFET上，极易造成器件失效。因此，非箝位感性负载下的开关过程(UnclampedInductiveSwitching，UIS)通常被认为是功率MOSFET在应用中所能面临的最极端的电应力情况。因此器件的抗UIS失效能力常被用于评定功率超结的可靠性，而UIS耐量是衡量功率超结的抗UIS失效能力的重要参数。寄生BJT(BipolarJunctionTransistor，双极型晶体管)的开启是引起UIS失效的重要原因之一。UIS的失效通常被认为是器件“主动”模式，这是由于在源漏间的寄生BJT在UIS雪崩时的导通，导通后流过体内的大电流将使器件迅速升温，...
【技术保护点】
1.一种槽栅超结器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、第一导电类型半导体衬底(2)、漂移区、金属化源极(10)；所述漂移区的上部具有槽型栅电极(5)，所述槽型栅电极(5)的侧面和底部被栅氧化层(6)包围，所述槽型栅电极(5)的两侧分别具有一个第二导电类型半导体体区(8)，所述第二导电类型半导体体区(8)与槽型栅电极(5)通过栅氧化层(6)隔离，所述第二导电类型半导体体区(8)中具有重掺杂第一导电类型半导体源区(7)和重掺杂第一导电类型半导体接触区(9)，且第一导电类型半导体源区(7)与栅氧化层(6)接触；所述金属化源极(10)的两端向下延伸进入第二导电类型半导体...
【技术特征摘要】
1.一种槽栅超结器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、第一导电类型半导体衬底(2)、漂移区、金属化源极(10)；所述漂移区的上部具有槽型栅电极(5)，所述槽型栅电极(5)的侧面和底部被栅氧化层(6)包围，所述槽型栅电极(5)的两侧分别具有一个第二导电类型半导体体区(8)，所述第二导电类型半导体体区(8)与槽型栅电极(5)通过栅氧化层(6)隔离，所述第二导电类型半导体体区(8)中具有重掺杂第一导电类型半导体源区(7)和重掺杂第一导电类型半导体接触区(9)，且第一导电类型半导体源区(7)与栅氧化层(6)接触；所述金属化源极(10)的两端向下延伸进入第二导电类型半导体体区(8)形成槽型金属化源极结构，所述重掺杂第一导电类型半导体接触区(9)位于金属化源极(10)两端槽型的底部并相接触；漂移区的中部具有第二导电类型半导体柱区(3)和第一导电类型半导体柱区(4)，第一导电类型半导体柱区(4)位于第二导电类型半导体柱区(3)的两侧，且所述第二导电类型半导体柱区(3)位于槽型栅电极(5)的正下方，所述第二导电类型半导体柱区(3)的横向宽度不超过槽型栅电极(5)的横向宽度，其特征在于：所述第一导电类型半导体柱区...
【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，杨梦琦，王梁浩，蒲小庆，任敏，张金平，高巍，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。